30. Bipolyar tranzistorlar

 
 
21. INTEGRAL TRANZISTORLAR 
 
Integral tranzistorlar kremniy monokristalidan tayyorlangan plastina asosida 
yasaladi. Plastina maxsus texnologiya asosida baza, emitter va kollektor sohalarida 
U
К
<
0
U
К
=
0
I
Э 
U
ЭБ 
а) 
U
К
=
0
U
К
>
0
I
Б 
U
ЭК 
б) 

---

turli konsentratsiyali aralashmalar hosil qilinadi. So‘ngra bu sohalardan plastinalar 
ustki qismiga uchlar chiqariladi. Integral tranzistorning bazasi juda yupqa bo‘lib, 
emitter baz potensial sathi yuqori bo‘ladi. Integral sxemalarda asosan, kollektor 
zanjiri ta’minlovchi manbaning manfiy qutbiga ulanadi. 
Hozirda integral sxemalar (IS) da, diskret sxemalarda qo‘llanilmaydigan 
maxsus p-r-p tipli tranzistorlar ishlatiladi. Bularga ko‘p emitterli va ko‘p 
kollektorli tranzistorlar, SHotki to‘sig‘iga ega bo‘lgan tranzistor va superbeta-
tranzistorlar kiradi. 
Ko‘p emitterli integral tranzistorning
shartli belgilanishi 21.1a – rasmda 
keltirilgan bo‘lib, bu tranzistorlar asosan raqamli IS da keng qo‘llaniladi. Bu 
tranzistor ikki holatda: «ochiq» va «yopiq» holatda ishlashga mo‘ljallangan. Bunda 
baza va kollektor hamma emitter uchun umumiy hisoblanadi. SHu sababli baza va 
kollektorga qo‘yilgan ma’lum kuchlanishda, emitterlar kuchlanishiga qarab 
ba’zilari ochiq bo‘lsa, ba’zilari yopiq bo‘ladi. 
21.1 – rasm. Integral tranzistorlarning shartli belgilanishi: 
a – ko‘p emittkrli tranzistor, b – ko‘p kollektorli tranzistor, v – SHotki to‘sig‘iga 
ega bo‘lgan tranzistor 
Ko‘p kollektorli integral tranzistorning
shartli belgilanishi 21.1b – rasmda 
keltirilgan bo‘lib, uning tuzilishi ko‘p emitterli tranzistordan uncha farv vilmaydi. 
Faqat farqi shundaki, u inversiya rejimida ishlaydi. SHu boisdan p
+
qatlam baza 
sohasiga yaqinroq qilib yasaladi. Bunda p
+
qatlam elektronlar injektori vazifasini 
bajaradi.