Выбор раствора для снятия фоторезиста
Наиболее подходящий промышленный раствор для снятия фоторезиста содержит химикаты, которые позволяют удалять его быстрее и эффективнее, чем водные растворы гидроксидов натрия и калия. Оптимальные растворы также минимизируют воздействие химикатов на олово/олово-свинец, причем слой меди остается без окислов. Эти растворы сегодня становятся распространенными при субтрактивном методе изготовления плат благодаря меньшему воздействию химикатов на олово и лучшему качеству снятия фоторезиста, что особенно важно в случае плат с высоким разрешением рисунка.
Пополнение раствора (корректировка)
Так как насыщенность раствора фоторезистом замедляет процесс его удаления, рекомендуется использовать систему корректировки, чтобы скорость снятия фоторезиста была постоянной. Обычно корректировка осуществляется исходя из числа обработанных плат.
Фильтрация
Оборудование для снятия фоторезиста методом распыления содержит систему фильтрации, которая собирает его частицы. Фильтр предотвращает засорение форсунок и попадание частиц фоторезиста в систему промывки. В процессе снятия фоторезиста увеличивается насыщение им рабочего раствора, происходит изменение химических свойств раствора. Большинство систем фильтрации используют циклонные, барабанные, сетчатые фильтры, наклонные экраны или их комбинации.
Пеногаситель
Из-за того, что в составе фоторезиста содержатся мономеры, при обработке плат в растворах проявления и раздубливания образуется пена. Количество пены зависит от используемого фоторезиста и насыщенности раствора. Концентрацию пеногасите-ля нужно поддерживать на рекомендуемом уровне, дозируя его в камеру проявления в момент пополнения проявителя свежим раствором. Пе-ногаситель следует добавлять прямо в рабочую емкость с проявителем, так как если добавить его в корректировочный раствор карбоната, он будет держаться на поверхности и останется в емкости. При подготовке нового проявляющего раствора пеногаситель надо добавить сразу же по достижении рабочей температуры. Качественным признаком смешения пеногасителя с проявляющим раствором является легкое помутнение рабочего раствора.
Литературы:
В.В. Мартынов, Т.Е. Базарова. Литографические процессы/ Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн.8. М. Высшая школа.1990.
К. Фавини публикуется при содействии компании ООО «Петрокоммерц».
https://www.contractelectronica.ru/articles/12-pechatnye-platy
Ю.С. Боков, В.М. Фролов, Н.В. Маруков, Исследование механизма локального химического модифицирования пленок фоторезистов на примере силилирования гексаметилдисилазаном, Электронная техника, Сер.3, 1991, №.1, С.17.
Do'stlaringiz bilan baham: |