Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
57 
40 мВт. На светодиоды с генератора прямоугольных импульсов Г5-54 
подавалось импульсное напряжение величиной 6 Вольт, через буферный 
резистор номиналом 50 Ом, для увеличения мощности излучения и 
длительностью импульса 250 мкс, с частотой повторения 1 кГц. С 
нагрузочного сопротивления (R
load
) переменный сигнал подавался на вход 
цифрового запоминающего оциллографа (ЦО) RIGOL 1102E.
0
100
200
300
400
500
600
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
A
,%
T,mkS
Blue_400Ohm
Blue_800Ohm
Blue_1.5kOhm
Blue_3kOhm
Blue_5.1kOhm
Blue_11kOhm
Blue_20kOhm
Blue_51kOhm
Blue_100kOhm
Blue_Vxx
Рис.4. Релаксационные кривые, зафиксированной ЦО с различных 
нагрузочных сопротивлений R
load
, Au-Zn
x
Cd
1-x
S-Mo
– структурного 
фотоприемника, при подачи импульса напряжения амплитудой 6 Вольт, на 
ЛЕД светодиод синего света излучения (λ
мах
= 460 нм, hv ≈ 2,7 эВ). 
На рис.4 представлены результаты экспериментальной релаксационной 
кривой зафиксированной ЦО с нагрузочных сопротивлений различной 
величины от 400 Ом до 100 кОм, подсоединенных к Au-Zn
x
Cd
1-x
S-Mo
– 
структурному фотоприемнику, при подачи импульса напряжения 
амплитудой 6 Вольт, на ЛЕД светодиод синего света излучения (λ
мах
= 460 
нм, hv ≈ 2,7 эВ). На рис.5 представлены экспериментальные результаты 
зависимости τ Δn от R
load
, при освещении излучением ЛЕД светодиодов Au-
Zn
x
Cd
1-x
S-Mo
– структурного фотоприемника. Кривая 1 характеризует 
зависимость времени τ Δn от R
load
, при освещении UV ЛЕД светодиодом (λ
мах
= 387 нм, hv ≈ 3,2 эВ) и кривая 2 характеризует зависимость времени τ Δn от 
R
load
, при при освещении синим ЛЕД светодиодом (λ
мах
= 460 нм, hv ≈ 2,7 эВ).
Из рис.5. следует, что τ Δn в исследованном диапазоне R
load
, при 
освещении Au-Zn
x
Cd
1-x
S-Mo
– структурного фотоприемника UV ЛЕД 
светодиодом (λ
мах
= 387 нм, hv ≈ 3,2 эВ) имеет более высокие значения τ Δn, 
чем при освещении синим ЛЕД светодиодом (λ
мах
= 460 нм, hv ≈ 2,7 эВ). Как 
видно из рис.2 фоточувствительность Au-Zn
x
Cd
1-x
S-Mo
– структурного 
фотоприемника на λ = 387 нм нм больше, чем на λ = 460 нм, в связи с этим, τ 
Δn при облучении с λ = 387 нм должно быть больше, чем при λ = 460 нм, это 
следует из того факта, что на границе раздела Шоттки барьерных 
контактирующих материалов Au и ZnCdS, возникают дефектные состояния 

---