Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
54 
ВЛИЯНИЕ СПЕКТРА И МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ВРЕМЯ 
ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В Au-ZnCdS-Мо СТРУКТУРНОМ 
ФОТОПРИЕМНИКЕ С ШИРОКИМ СПЕКТРОМ 
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
 
Кабулов Р.Р.,
 
Герасименко С.Ю., Юсупов Д.Т. 
 
Физико-технический институт АН РУз., Ташкент, Узбекистан 

Одним из важных параметров определяющих фоточувствительность 
фотоприёмных 
структур 
является 
время 
жизни 
неосновных 
фотогенерированных носителей заряда (τ). В реальных фотоприемниках 
вследствии сложности структуры τ зависит от спектра падающего на 
структуру 
электромагнитного 
излучения, 
мощности 
и 
величины 
сопротивления нагрузки. Исследование релаксационных характеристик 
фотоприемников (ФП), таких как, затухание величины фототока (J
ph
), при 
освещении прерывистым светом даёт возможность оценить величину τ и 
установить механизм фотогенерации неравновесных фотогенерированных 
носителей заряда и процессы их рекомбинации.
Известно, что величина фототока зависит от концентрации 
фотогенерированных носителей заряда – Δn [1]. Временные характеристики 
Δn определяются соотношением (1) [1]:
где, τ – время жизни фотогенерированных носителей заряда. Решение 
уравнения (1) имеет вид (2):
- стационарное максимальное значение фотогенерированных 
носителей заряда. Для экспериментального определения τ необходимо 
построить временную зависимость величины фототока в логарифмическом 
масштабе ln(J
ph
) от (t), где наклон полученной прямой даст величину τ для 
Δn фотоактивной части фоточувствительной структуры. 
Настоящая 
работа 
посвящена 
исследованиям 
влияния 
монохроматического излучений ультрафиолетового (λ = 387 нм, hv ≈ 3,2 эВ) 
и синего спектра (λ = 460 нм, hv ≈ 2,7 эВ) электромагнитных волн и 
величины сопротивления внешней нагрузки (R
load
) на τ Шоттки барьерного 
фотоприемника с широкой спектральной областью фоточувствительности (λ 
= 350 нм – 500 нм), со структурой Au-ZnCdS-Мо, где фоточувствительная 
область была изготовлена из поликристаллического бинарного химического 
соединения, относящегося к группе А2В6 соединений Zn
x
Cd
1-x
S сульфида 
цинка и кадмия [2]. Так как фоточувствительные структуры на основе 
соединений Zn
x
Cd
1-x
S широко используются в различных приборах и 

---