Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
56 
излучения. Из анализа спектра фоточувствительности проведенный с 
использованием метода фотоотклика [5], установлено, что токи, 
фотогенерированные в этом спектральном диапазоне, связаны с 
поглощением 
фотонов 
полупроводниковыми 
материалами 
ширина 
запрещенных зон которых различается на некоторое значение: E
g1
≈3,00±0,05 
эВ, E
g2
≈2,80±0,05 эВ и E
g3
≈2,50±0,05 эВ. Это означает, что в исследуемой Au-
Zn
x
Cd
1-x
S-Mo - структуре, с широкой областью фоточувствительности, от 300 
нм по 500 нм спектра электромагнитного излучения, материал фотоактивного 
слоя состоит из трех слоев Zn
x
Cd
1-x
S с ширинами запрещенных зон 
E
g1
≈3,0±0,05 эВ, E
g2
≈2,8±0,05 эВ и E
g3
≈2,5±0,05 эВ. Согласно [6], такие 
значения E
g
имеют поликристаллические пленки Zn
x
Cd
1-x
S, где величина 
х
1
≈0,57, х
2
≈0,39, х
3
≈0,04. 
Рис.2. Спектральная зависимость коэффициента собирания (отн.ед.) 
Au-Zn
x
Cd
1-x
S-Mo-структурного фотоприемника, при T = 300 K. 
На рис.3 представлена схема установки для измерения τ в созданном 
Au-Zn
x
Cd
1-x
S-Mo
–структурном фотоприемнике. 
Рис.3. Схема установки для измерения τ в созданном Au-Zn
x
Cd
1-x
S-Mo
–
структурном фотоприемнике. 
В качестве источника модулирующего электромагнитного излучения 
использовались ЛЕД светодиоды ближнего ультрафиолетового (λ
мах
= 387 
нм, hv ≈ 3,2 эВ) и синего излучения (λ
мах
= 460 нм, hv ≈ 2,7 эВ), мощностью ≈ 

---