Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
58 
вследствии разницы постоянных кристаллической решеток [7], в результате 
чего концентрация фотогенерированных Δn уменьшается за счет из 
рекомбинации [8]. 
0,0
2,0x10
4
4,0x10
4
6,0x10
4
8,0x10
4
1,0x10
5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
2
1
li
fe
 t
im
e
, 
m
k
s
e
c
R
load
,Ohm
Blue
UV 
Рис.5. Зависимости времени жизни Δn от R
load 
в Au-Zn
x
Cd
1-x
S-Mo
– 
структурном фотоприемнике, при освещении излучением ЛЕД светодиодов: 
1 - освещение UV ЛЕД светодиодом (λ
мах
= 387 нм, hv ≈ 3,2 эВ); 2 - 
освещение синим ЛЕД светодиодом (λ
мах
= 460 нм, hv ≈ 2,7 эВ).
Из рис.2, так же, следует, что слой с E
g1
≈3,00±0,05 эВ находится вблизи 
Шоттки барьера и излучение с hv > 3,0 эВ поглощаясь эффективно 
разделяется Шоттки барьером по отношению к Δn фотогенирированными с λ 
= 460 нм, hv ≈ 2,7 эВ, которые находятся дальше от Шоттки барьера и 
поглощаются в слое с E
g3
≈2,50±0,05 эВ. Между слоем E
g3 
и барьером Шоттки 
находится слой E
g2
≈2,80±0,05 эВ, на границе которого, так же, имеются 
дефектные состояния, которые приводят к уменьшению τ Δn.
Как видно из рис.5 τ Δn растет с ростом R
load
. τ Δn, в исследованном 
диапазоне, сначала растет быстро, с увеличением величины R
load
, (от 400 Ом 
до 50 кОм), но в дальнейшем изменение τ Δn с ростом R
load
замедляется. 
Наблюдаемое явление связано с тем, что при включении R
load
ВАХ работает в 
прямом направлении, в результате чего в гетероструктуру инжектируются 
основные носители заряда, как и в случае увеличения фотогенерации, они 

---