Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
605 
[15] Чу Минь, Цзян Цзин. Тенденции развития и предложения 
технологии архитектуры 3D-печати [J]. Управление и исследования в 
области науки и технологий 
Достижения, 2017 (9). 
[16] Чжан Цзяо. Исследование влияния и перспективы технологии 
3D-печати на промышленное развитие [J]. Руководство по бизнесу, 2013 
(17). 
[17] Ли Сюань, Мо Хун, Ли Шуаншуан и др. Исследование прогресса 
процесса управления 3D-печатью [J]. Acta Automatica Sinica, 2016, 42 (7). 
[18] Lam C X F, Mo X M, Teoh S H, et al. Разработка лесов с 
использованием 3D-печати с использованием полимера на основе крахмала 
[J]. Материаловедение и инженерия C, 2002, 20 (1): 49-56. 
[19] Ван Хао. Исследование тенденций развития технологии 3D-
печати [J]. China Science and Technology Exp, 2015 (35): 387-387. 
[20] Ду Сян. Тенденция применения и развития технологии 3D-
печати [J]. Порошковая промышленность, 2017: 14. 
ЭЛЕКТР ТАЪМИНОТИ ТИЗИМИ РЕЗИСТИВЛИ ЭЛЕКТР 
ЗАНЖИРЛАРИДА ДИНАМИК ЖАРАЁНЛАР ТАҲЛИЛИ 
Каримов Р.Ч., Косимов Т.Х.
(магистр)
Тошкент давлат техника университети 
Резистивли электр занжирларни таҳлил қилишнинг самарали 
усулларини яратиш, электр таъминоти, автоматлаштириш, ҳисоблаш 
техникаси учун ишончли, юқори сифатли қурилмаларни ишлаб чиқишда 
муҳим аҳамиятга эга. Ҳозирги вақтда электр занжирларини таҳлил қилишни 
турли хил аналитик, графикли, график-таҳлил ва машина усуллари 
ишлатилади. 
Резистивли электр занжирлар асосида яратилган қурилмалар 
автоматика, радио-электроника, ҳисоблаш техникаси ва электр таъминоти 
соҳаларида кенг қўлланилмоқда. Автоматик қурилмалар учун бошқарув 
системаларини ишлаб чиқишни турли схемаларда ҳал қилиш мумкин. Биз 
кўраётган ноавтоном резистивли динамик занжирда 
VD
диод, 
R
1
актив 
қаршилик ва 
C
сиғимга параллел уланган 
R
2
актив қаршилик элементлари 
кетма-кет, ҳамда юклама қисмида 
VU
оптопара, диодли кўприк ва 
R
ю
актив 
қаршилик уланган (1-расм). 

---