|
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
606
1-расм. Резистивли электр занжир
Занжир кучланиши қуйидаги қонуният асосида ўзгаради:
)
sin(
t
U
u
m
(1
)
Ҳозирги вақтда бундай занжирларни таҳлил қилишнинг турли
усуллари кенг қўлланилади. Биз биринчи навбатда классик усул ёрдамида
ечиш ва таҳлил қилишни кўриб чиқамиз. Занжирнинг тармоқ кучланишига
уланиш бурчаги
ψ
ни нолга тенг деб қабул қиламиз. Ўткинчи жараён
диоднинг ҳар бир очилиш даврида ҳисобланади. Бунда сиғимдаги
кучланишни тавсифловчи тенглама қуйидаги кўринишга келади:
t
C
R
R
R
R
m
C
e
R
R
R
U
U
2
1
2
1
1
2
1
2
(2
)
бу ерда,
U
m
– тармоқ кучланишининг максимал қиймати,
R
1
,
R
2
ва
С
занжир элементлари.
Диод характеристикасини идеал деб қабул қиламиз ва
t
U
U
m
кир
sin
деб
оламиз.
t
=0 лаҳзадан
t
1
лаҳзагача диодни очиқ деб, 0≤
t
≤
t
1
шарт
бажарилганида занжир ҳолат тенгламасини қуйидаги кўринишда ёзамиз:
c
u
i
R
t
U
m
1
sin
(3
)
бу ерда,
dt
du
C
i
c
эканлигини ҳисобга олсак,
C
C
C
m
U
R
U
dt
dU
C
R
t
U
)
(
sin
2
1
(4
)
келиб чиқади.
Келтирилган (4) тенгламадан
dt
dU
C
ни топамиз:
C
m
C
C
U
t
U
R
U
R
dt
dU
C
R
sin
2
1
1
2
1
1
sin
R
U
R
U
t
U
dt
dU
C
R
C
C
m
C
2
1
1
1
1
sin
СR
R
U
R
С
R
U
С
R
t
U
dt
dU
C
C
m
C
(5)
Бундан:
~
U
VD
С
R
1
R
2
R
юrк
~
U
VU
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
607
2
1
1
1
sin
1
R
R
U
t
U
С
R
dt
dU
C
m
C
(6)
кўринишида келди.
Келтирилган (6) занжир ҳолати тенгламасини сонли ечими учун Эйлер
усули билан ечамиз. Бунда қандайдир оралиқда дифференциал тенгламанинг
тахминий ечимини аниқлаймиз:
)
y
,
t
(
f
dt
dy
(7
)
Ушбу ифодани тенг
n
та қисмларга ажратиб, қуйидагича белгилаймиз:
h
t
t
t
t
t
t
t
n
n
1
1
2
0
1
...
(8
)
(8) тенгламадаги
t
0
, t
1
, t
2
, …, t
n
нуқталарнинг ҳар бирини асосий ҳосила
фарқлари нисбати билан алмаштирамиз, унда:
t
y
t
f
y
)
,
(
(9
)
Биринчи участкада
у
1
-у
0
=∆у
ва
∆t=h
га эга бўламиз ва бундан:
h
y
t
f
y
y
0
0
0
1
,
(1
0)
келиб чиқади.
Бу тенгликда
y
0
,
t
0
,
h
маълум, демак:
h
y
t
f
y
y
0
0
0
1
,
(1
1)
t=t
1
бўлганда (9) тенгламадан қуйидагига эришамиз:
h
y
t
f
y
)
,
(
бундан,
h
y
t
f
y
y
0
0
1
2
,
(1
2)
келиб чиқади.
У ҳолда,
h
y
t
f
y
y
1
1
1
2
,
(1
3)
бўлади.
Худди шундай, қолганлар учун ҳам шу тартибда ёзамиз:
h
y
t
f
y
y
h
y
t
f
y
y
n
n
n
n
1
1
1
2
2
2
3
,
......
..........
..........
..........
,
(1
4)
Шундай қилиб, (14) ифода орқали
у
функциясининг
t
0
, t
1
, t
2
, …, t
n
нуқталаридаги тахминий қиймати топилади. Ушбу нуқталарни бирлаштириб,
"
Эйлернинг чизиқли линияси
" деб номланувчи ечимга эга бўламиз.
(6) тенгламани сонли усулда Эйлер методи ёрдамида ечиш қуйидаги
кўринишда амалга оширилади:
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
608
h
t
U
f
U
U
k
Ck
Ck
k
C
)
,
(
)
1
(
(1
5)
Бундан,
2
1
1
1
sin
1
)
,
(
R
R
U
t
U
C
R
t
U
f
C
m
k
Ck
(1
6)
келиб чиқади, ҳамда бу ерда,
k
=0,1,2,…;
h
– интеграллаш қадами.
0 дан
t
=
t
1
(50 Гц частотада диоднинг очилиш ва ёпилиш интервали ҳар
0,01 сек оралиқда юз беради) лаҳзагача бўлган сиғимдаги кучланиш нолинчи
бошланғич шарт билан (15) тенглама орқали аниқланади.
t
=
t
1
лаҳзадан
бошлаб диоднинг ёпилиш жараёни содир бўлиб, ҳолат тенгламаси
С
ва
R
2
элементларда қуйидаги қонуният асосида амалга ошади:
2
R
U
dt
dU
C
C
C
ёки
2
CR
U
dt
dU
C
C
(1
7)
(17) тенглама ҳам сонли усулда Эйлер методи ёрдамида ечилади:
h
t
U
f
U
U
k
Ck
Ck
k
C
)
,
(
)
1
(
(1
8)
бу ерда, ўзгартириш киритилиб
2
)
,
(
CR
U
t
U
f
C
Ck
га тенг деб қабул
қиламиз.
Аниқ электр занжирни таҳлил қилиш мисолида, ушбу усулнинг амалий
тадбиқини кўриб чиқамиз. 1-расмда келтирилган ночизиқли электр занжир
схемаси ўзгармас кучланиш манбаига уланганда ўткинчи жараённи таҳлил
қилиш талаб қилинади. Ушбу занжирнинг ҳолат тенгламасини (6) тенглама
орқали ечилиб, классик усулнинг таҳлили асосида ўткинчи жараён давомида
сиғимдаги кучланишни тавсифловчи (18) ифодага эришдик. Келтирилган (18)
ифода ёрдамида ўткинчи жараён вақтида ночизиқли динамик занжирнинг
ҳолат тенгламасини ЭҲМда ечиш орқали, сиғимдаги кучланишининг
ўзгариш эгри чизиғи характеристикаларини аниқлаймиз. Бунда, нолинчи
бошланғич шартлари қабул қилинган бўлиб, ушбу эгри чизиқлар таҳлили
мукаммал ҳисоблаш усули орқали занжир ҳолати тенгламасини сонли ечими
натижаларини бир хиллигини кўрсатади.
2-расмда тармоқ кучланиши
U
m
=18 В; сиғим
С
=1 мкФ ва қаршилик
R
2
=3,0 кОм бўлиб,
интеграллаш қадами
h
=0,001 ўзгармаган ҳолда,
R
1
қаршиликнинг 5 хил қийматдаги жараёнларнинг таҳлили олинган (1 –
R
1
=0,3
кОм; 2 –
R
2
=0,5 кОм; 3 –
R
3
=0,8 кОм; 4 –
R
4
=1,0 кОм; 5 –
R
5
=1,2 кОм).
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
609
2-расм. Сиғим кучланишининг ўзгариш графиги
U
c
=
f(t)
.
Резистивли
электр
занжирлари
схемаларининг
таҳлили
ва
классификацияси шуни кўрсатадики, диодли занжирлар асосида яратилган
релели ускуналар, керакли даражада ўрганиб ва ишлаб чиқилмаган. Диодли
занжирларнинг назарий ва тажриба таҳлиллари асосида юзага келган
тригерли эффектни контактсиз кучланиш релеларда қўллаш мумкинлигини
кўрсатди. Юклама кучланиш эгри чизиғи синусоида шаклида бўлган
контактсиз кучланиш релесининг таркибий қисми бўлган диод-сиғимли
занжирни режим таҳлили учун занжир ҳолати дифференциал тенгламасини
сонли усулда компьютер технологиясидан фойдаланиб ечиш орқали
ишлатиб, ушбу занжирни вертуал-тажриба йўли билан ўрганиб чиқилди ва
шу нарса аниқландики сиғимда кучланишни ўрнатиш вақти, диодли-сиғим
занжири параметрлари қийматига боғлиқ.
t
(
сек
)
5
4
3
2
1
U
c (
В
)
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
610
СОВРЕМЕННЫЕ ПРИБОРЫ И ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ
ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
МАТЕРИАЛОВ
КАФЕДРЫ ЦИФРОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Илиев Х.М., Зикриллаев Н.Ф., Аюпов К.С.
Ташкентский государственный технический университет им. ислама
каримова факультет «Электроника и автоматика» кафедра «Цифровая
электроника и микроэлектроника»
приобретенные в 2021 году руководством ТГТУ
ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ НАУЧНОГО ИССЛЕДОВАНИЕ
докторантов, магистров и бакалавров
Shimadzu UV-1900i
Ультразвуковой
паяльник CS60-X15I
Фурье-спектрометр
ФСМ 1202
Вакуумно-трубчатая печь (1700 °C)
Алмазная проволочная пила -
“STX- 402” для резки кристаллов
ТАШКЕНТ-2021
Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar
II xalqaro ilmiy anjumani
19-20 noyabr 2021 yil
611
1.
CПЕКТРОФОТОМЕТР (Shimadzu UV-1900i)
Двухлучевой спектрофотометр
UV-1900i с диапазоном измерения от
190 до 1100 нм характеризующийся
оптимальным
для
большинства
аналитических задач спектральным
разрешением,
низким
уровнем
рассеянного света, имеющий режим
ультрабыстрого
сканирования
(29000 нм/мин) и простой в
использовании интерфейс.
Внешний вид установки UV-1900i
Технические характеристики
Модель
UV-1900i
Оптическая схема
Двухлучевая
Монохроматор
Одиночный
Черни
Тернера
с
высокопроизводительной
полированной
дифракционной решеткой
Спектральный диапазон
(190-1100) нм
Детектор
Кремниевый фотодиод
Ширина щели
1 нм
Скорость сканирования
29000 нм/мин
Точность установки длины
волны
± 0,3 нм
Воспроизводимость
по
шкале длин волн
±0,1 нм
Фотометрический
диапазон
от –4,0 до +4,0 Abs
от (0,0 до 400% T)
Уровень шума
<0,00005 Abs
Размер прибора
450×501×244 мм
Масса
16,6 кг
Do'stlaringiz bilan baham: |
