Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
32 
В результате диффузии приповерхностный слой кремния изменяет 
тип проводимости на дырочную, т.к. эти элементы в основном проявляют 
себя как акцепторная примесь в кремнии [2].
 
Толщина образовавшегося 
диффузионного слоя определялась по глубине залегания р-n-перехода. 
Диффузионные слои, определенные по микроскопическим измерениям, 
имели толщины от 1.3 до 8,4 мкм в зависимости от температуры и времени 
диффузии. 
Проводились измерения концентрации электрически активных 
ионов иттербия в диффузионных слоях кремния, которая принималась 
равной концентрации дырок. Оценка концентрации дырок проводилась на 
основе анализа вольт-емкостных характеристик (ВФХ) изготовленных 
структур, а также по измерению поверхностного сопротивления кремния 
( ρ
s
)
.
Для проведения емкостных измерений на полученных после 
высокотемпературной обработки образцах изготавливались стандартные 
структуры. Измерение поверхностного сопротивления кремния проводилось 
после удаления оксидных слоев химическим травлением. Для определения 
концентрации носителей заряда по измерению поверхностного сопротивле-
ния кремния использовались значения холловской подвижности дырок. Из 
вышесказанного следует, что в приповерхностном слое, обогащенный 
дефектами, в том числе вакансий, кроме примеси в электроактивном 
состоянии возможно образование силицида металла, как это выявлено для 
марганца в кремнии [3]. Общая концентрация РЗЭ в поверхностном слое 
кремния достигает сотых долей процента, т.е 10
20
- 10
21
см
-3
. При этом часть 
атомов РЗЭ диффундирует по узлам кристаллической решетки кремния на 
глубину в несколько микрометров и проявляет себя как акцепторная 
примесь, концентрация которой не превышает 10
18
см
-3
. Исследование 
распределение ряда примесей в Si также может свидетельствовать о 
возможности образование различных фаз примесей, в том числе иттербия 
[2,3].
Литература 
1. Латухина Н.В., Лебедев В.М. Концентрационные профили 
редкоземельных элементов в диффузионных слоях кремния. Известия 
СамГУ. Серия Физико-математические науки. Раздел Физика. Выпуск 1 
(2008). Стр 47-52. 
2. Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Олимбеков З.О., Бозорова О.А., 
Зарифбаев Ж.Ш., Бекмуратов М.Б. Особенности дефектообразования в 
кремнии с дефектно-примесными ассоциатами. Материалы Респ.конф. 
Современные проблемы физики полупроводников» СПФП-2011, 23-25 
ноября, 2011, Нукус, с.57-59. 
3. Адамбаев К., Зайцев В.К., Камилов Т.С., Назыров Д.Э. и др, 
«Исследование приповерхностной области кремния, диффузионно-
легированного марганцем» Поверхность-1988, №7.С.66-70.

---