Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
31 
Hydrogen diffusion in close vicinity of group-III and group-V impurities has 
been studied by NEB method. Diffusion profiles have been found for different 
charge states of hydrogen. Comparable analysis has been performed for diffusion 
of hydrogen around group-III and group-V impurities.
 
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ЛЕГИРОВАНИЯ 
ИТТЕРБИЕМ НА СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО 
 КРЕМНИЯ 
 
Х.С.Далиев
1
, М.Б.Бекмуратов
2
 
1
Научно-исследовательский институт физики полупроводников и 
микроэлектроники при НУУз, Ташкент, Узбекистан, 
2
Нукусский Государственный педагогический институт имени 
Ажинияза. Нукус, Каракалпакстан 
Легированный 
редкоземельными 
(РЗЭ) 
и 
тугоплавкими 
элементами кремний, в последние годы вызывает заметный интерес в связи с 
перспективой получения на его основе более стабильных к внешним 
воздействиям материалов и различных, в том числе эффективных 
светоизлучающих структур. Среди технологических методов изготовления 
таких структур наибольшее распространение получили различные методы 
ионной имплантации, молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазной 
эпитаксии. Меньше используется такой распространенный технологический 
метод, как диффузия [1]. В данной работе проводилось исследование 
монокристаллического кремния, легированного иттербием методом 
высокотемпературной 
диффузии. 
Диффузия 
иттербия 
в 
монокристаллический кремний проводилась из пленки, созданной на 
поверхности полированной кремниевой подложки. В качестве подложки 
использовались пластины монокристаллического кремния n-р-типов 
проводимости. Процесс проводился при температурах от 1000
0
С до 1200
0
С 
на воздухе. Время высокотемпературной обработки лежало в пределах от 1 
до 10 часов. При этом на границе раздела кремния и оксида металла 
возможно протекание одновременно нескольких процессов с образованием 
фаз различного состава. Происходит образование подслоя смешанного 
состава - оксидов кремния и иттербия, а также взаимодействие вводимого 
элемента с кремнием с образованием силицидов и силикатов. На поверхности 
образца, остававшейся свободной от пленки окиси иттербия, образуется 
оксид кремния без примеси.

---