Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
145 
ВЛИЯНИЕ ГАММА ОБЛУЧЕНИЯ НА СОСТОЯНИЕ КЛАСТЕРОВ 
ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ МАРГАНЦА В КРЕМНИИ 
 
З.М.Сапарниязова, Г.С. Нурымбетова, Г.К. Сапарниязова,
Г.Р.Абдреймова, К.А.Хажибаев, С.А.Давлетова, Е.Я. Хожаниязова.
Каракалпакский государственный университет, e-mail

 [e-mail] 
Одним из простейших способов не требующих дорогостоящего 
технологического 
оборудования, 
для 
создания 
наноструктур 
в 
полупроводниках является формирование в объеме кристаллической решетки 
кластеров примесных атомов с управляемой концентрацией и структурой. 
Поэтому представляет определенный научный и практический интерес 
исследование влияния радиационного облучения 

-квантами на состояние 
примесных кластеров и на свойства кремния с такими кластерами.
Однако авторами работ [1] разработка технология формирования 
кластеров различных примесных атомов с управляемыми размерами, 
концентрацией и распределением в объеме кремния используя обычную 
диффузионную печь. Целью технологии заключалась термодинамические 
условия самоорганизации кластеров примесных атомов в кристаллической 
решетке кремния. 
В работе 

2

3

нами было показано, что в кремнии с нанокластерами 
атомов марганца (Mn)
4
наблюдаются новые физические явления, такие как 
аномально высокое отрицательное магнитосопротивление при комнатной 
температуре, гигантская примесная фотопроводимость в области L=1,5

8мкм 
и др.
В этих работах предложено, что наблюдаемые явления связанны с 
наличием мощного магнитного момента у кластера атомов марганца, и 
возможностью изменения их зарядового состояния, а также показано, что на 
основе таких материалов можно создавать принципиально новые 
электронные приборы. В связи с этим представляет большой научный и 
практический интерес исследование влияния 

- облучения на свойства 
кремния с нанокластерами (Mn)
4
. Такие исследования с одной стороны 
позволяют изучить воздействие кластеров с радиационными дефектами, а с 
другой стороны оценить радиационную стойкость таких материалов и 
приборов на их основе. Результаты исследования показывают, что до дозы 
облучения Ф=10
6
Р, фотоэлектрические и магнитные свойства практически 
остаются без существенных изменений. Начиная с дозы облучения Ф

2

10
6
Р, фотоэлектрические, электрические и магнитные свойства материала 
существенно ухудшаются и при Ф

5

10
6
Р, обнаруженные эффекты в 
образцах до облучения полностью исчезают (рис.1). 

---