Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
142 
3. T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai, Optical and electrical 
characterizations of highly efficient CdTe thin film solar cells, Thin Solid Films 
387 (2001) 6-10. 
4. E. Fernander-Domingues, G. Torres-Deigado, R. Castanedo-Perez, 
Marguez-Marin, O.Zelaya-Angei. Effects of rapid thermal annealing as back 
contacts activation treatment on CdS/CdTe mult-contacted solar cells// 
Superlattices and Microstructures 2021, volume 151 March 2021, 106832 
doi.org/10.1016/j.spmi.2021.106832. 
5. Ali Ciris, M. Bulent, Basol, Yayuz Atasoy, Taytur Kuchinmeroglu, 
Adullah Karaca, Murat Tomakin, Emin Bacaksiz. Effect of CdS and CdSe 
pretreatment of interdiffusion with CdTe in CdS/CdTe and CdSe/ CdTe 
heterostructures// Materials Science in Semiconductor Processing 2021, june, 
volume 128, 105750 doi.org. 10.1016/jimssp.2021.105750. 
6. Отажонов С.М. Фотоприемник в ближней ИК-области поглощения 
на основе CdTe-SiO2-Si // Прикладная физика. Научно-технический журнал. 
Москва, Россия, 2005. N1.C.95-97 https://applphys.orion-ir.ru/appl-05/05-1/05-1-
r.htm. 
7. D Kuciauskas, J Moseley, C Lee. Identification of Recombination Losses 
in CdSe/CdTe Solar Cells from Spectroscopic and Microscopic Time
‐
Resolved 
Photoluminescence// Solar RRL. 19 February 2021.https: // doi.org / 10.1002 / 
solr.202000775. 
РЕКОМБИНАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ЧЕРЕЗ 
 
)
(


A
D
- ЦЕНТРЫ В КОВАЛЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ 
 
Т.Т Муратов, 
. 
А.У
. 
Умбаров, И.Т Курбоназаров 
ТГПУ им. Низами 
 
 
Возможность рекомбинации носителей заряда через 
)
(


A
D
- центры 
уже давно обсуждалась [1,2]. К настоящему времени накоплен значительный 
экспериментальный материал по 
)
(


A
D
- центрам в ковалентных 
полупроводниках [3]. Рассчитаны их энергетический спектр и волновые 
функции [4]. Обычно считается, что рекомбинация носителей заряда через 
)
(


A
D
-центры носит каскадный характер [3], суть которого заключается в 
том, что электрон проводимости захватывается 
)
(


A
D
-центром путем 
испускания им «мелких» акустических фононов. Расчет коэффициента 
захвата носителя на 
)
(


A
D
- центр приводит к формуле [3]: 

---