Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
251 
Для получения информации о плотности состояния валентных электронов исследуемой 
пленки снимались фотоэлектронные спектры подложки CdS и пленки Cd
0.6
Ba
0.4
S при энергии 
фотонов h

= 10.8 эВ (рисунок 2). По оси абсцисс отложена энергия связи Е
св
электронов, 
отсчитанная относительно уровня Ферми Е
F
. Видно, что образование трехкомпонентного 
соединения приводит к резкому изменению плотности состояния валентных электронов CdS. 
В случае чистого образца CdS (кривая 1) обнаруживаются особенности при Е
св
= –0.7; –1.3 и 
–3.6 эВ. Как нами ранее показано, что особенности при Е
св
= –0.7 эВ обусловлен 
возбуждением электронов из поверхностных состояний, максимум при Е
св
= –1.3 эВ – 
возбуждением электронов 5s состояний Сo, а максимум при Е
св
= –3.6 эВ – возбуждением 
электронов из гибридизированных уровней 5sCd + 3рS. В случае нанопленок Cd
0.6
Ba
0.4
S 
происходит перераспределение плотности состояния, наблюдаются явно выраженные пики 
при энергиях Е
св
= –1.8; –2.7 и –3.9 эВ. Все эти пики, по-видимому, обусловлены участием в 
гибридизации электронов наряду с электронами кадмия и серы, 6s и 6р валентных 
электронов бария. 
Рис. 1. Концентрационные профили распределения атомов Ва по глубине для CdS, 
-2. 1 – до прогрева; 2 – после 
прогрева при Т = 800 К в течении t = 30 мин. 
Рис. 2. Спектры фотоэлектронов измеренные при h

= 10.8 эВ. 1 – CdS; 2 – CdS с пленкой 
Cd
0.6
Ba
0.4
S. 

---

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.