Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
254 
Здесь приводятся результаты исследования влияния подложки и толщины пленок на 
температуры ФПМД в V0
2 
[ 1 ] .  
Пленки V0
2
получались методом пиролиза ацетилацетоната ванадия, низкая температура 
осаждения которого позволила получить пленки на различных подложках. В качестве 
подложки использовались пластины слюды, ситалла, корунда (Al
2
O
3
), фтористого лития (LiF) 
и окиси магния (Mg0). При получении пленок поддерживались постоянными оптимальная 
температура подложек 360
K
и давления кислорода вкамере синтеза 50-60 мм.рт.ст. Скорость 
осаждения пленок 0.1

КМ
/
МИН
.
 
Контакты изготавливались нанесением и последующим 
обжигом серебряной пасты, а расстояние между контактами составляло 5 мм. 
Итогом этой работы явилось установление факта, что температура ФПМДТ
к
в пленках
VO
2
всегда ниже, чем для массивного материала. На рис.1 показаны результаты измерений 
температурной зависимости электросопротивления пленок толщиной 0,47-0,51 мкм на 
различных подложках. Здесь же для сравнения приведена температурная зависимость 
электросопротивления массивного кристалла. 
рис. 1.Температурные зависимости электросопротивления пленок VO
2
толщиной 0,47-0.51 
мкм на различных подложках: 1-MgO; 2- LiF; 3- Al
2
O
3
; 4- cитал; 5-данные для массивного 
кристалла [3] 
Температура ФПМД на одинаковых подложках испытывает монотонно убывающую 
зависимость при уменьшении толщины пленок, Так, температура ФПМД пленок на слюде и 
окиси магния толщиной 0,02 и 0,01 мкм соответственно составляет 317±1 и 316±1. На рис. 2 
показана толщинная зависимость температуры ФПМД пленок на подложке окиси магния. 
Рис. 2.Толщинная завис шесть температуры ФПМД пленок VO
2
на подложке окиси магния. 

---