Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
250 
протонодонорных комплексах. Новый тип связи, характеризуемый этим синим сдвигом, 
называется анти-Н-связью. 
Литература 
1. Шарифов Г., Амонов А., Шерматов А. // IV Международная научно-практическая 
конференция "Глобальная наука и инновации 2019: Средняя Азия". Астана. 2019. С.239-241. 
2. P.Hobza, V.Spirko, H.L.Selzle, E.W.Schlag // J. Phys. Chem. A. 1998. Vol.102, No.15, 
PP.2501-2504. 
ПОЛУЧЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР Cd-Ba-S НА ПОВЕРХНОСТИ CdS 
ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНАМИ Ba
+

Ж.Ш.Содикжанов

1
,
Б.Е. Умирзаков
2 
1
Институт ионно-плазменных и лазерных технологий имени У.А. Арифова. Академии 
наук Республики Узбекиста.
100125
Ташкент, Узбекистан.
2
Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова, 
100095 Ташкент, Узбекистан 
1
E-mail: 
[e-mail]
  
2
E-mail: 
[e-mail]
 
Известно, что перспективным методом получения наноразмерных структур на 
поверхности и в приповерхностном слое материалов различной природы является ионная 
имплантация. Например, в работе имплантацией ионов Co
+
в Si получена двухслойная 
гетероэпитаксиалная структура CoSi
2
/Si/CoSi
2
/Si/, определены ширины запрещенных зон и 
их зависимость от размеров нанокристаллических фаз и слоев CoSi
2
. Однако такие 
исследования в случае пленок CdS практически не проводились. 
Данная работа посвящена получению трехкомпонентных нанокристаллов и пленок 
CdBaS на поверхности CdS, имплантацией ионов Ba
+ 
в сочетании с отжигом и изучению их 
состава, размеров и электронную структуру. 
Были использованы пленки CdS n-типа с толщиной ~ 1 мкм, выращенных на 
поверхность SnO
2 
– стекло термическим испарением при вакууме 10
-4
Па. Перед 
имплантацией ионов пленки CdS очищались прогревом в условиях высокого вакуума (P ≤10
-
6
Па) при Т = 1200 К при вакууме на хуже 10
-6
Па.
Для получения трехкомпонентных наноструктур на поверхности CdS имплантация 
ионов Ba
+
проводилась с Е
0 
≤ 5 кэВ. На рисунке 1 приведены профили распределения атомов 
Ba
+
с Е
0
= 1 кэВ при дозе насыщения (D = D
нас
= 6

10
16
см
-2
) измеренных до и после прогрева 
при Т = 800 К. Видно, что после ионной имплантации концентрация Ba на поверхности 
составляет 

34 – 36 ат.%. До глубины 25 – 30 Å концентрация С
Ba
уменьшается 
незначительно, а в интервале d = 30 – 60 Å резко уменьшается до 12 – 15 ат.%, начиная с d 
≃ 
55 – 60 Å монотонно, почти линейно уменьшается и при d = 120 – 130 Å не превышает 1 – 2 
ат.%. Анализ оже-спектров совместно со спектрами ВИМС показали, что в ионно-
имплантированном слое содержатся несвязанные атомы Ba, Cd и S, а также соединения типа 
Ba – Cd – S (

10 – 15 ат.%) и Cd – S, Ba – S. При этом приповерхностные слои полностью 
разупорядочиваются. После прогрева при Т = 800 К в течение 30 – 40 мин на поверхности 
формируется монокристаллическая, эпитаксиальная пленка с примерным составом 
Cd
0.6
Ba
0.4
S с толщиной 40 – 45 Å. Толщина переходного слоя между подложкой и пленкой 
существенно уменьшается и не превышает 50 – 60 Å. Можно полагать, что в процессе 
прогрева происходит интенсивное испарение Ba из ионно-легированных слоев, 
следовательно, концентрация бария как на поверхности, так и в приповерхностном слое 
резко уменьшается. 

---