Energetika va sanoatni axborotlashtirish fakulteti Informatika va axborot texnologiyalari kafedrasi Elektronika va sxemotexnika fanidan kurs ishi mavzu: Umumiy emitterli kuchaytirgichni tahlil qilish. Umumiy kollektorli kaskadni hisoblash

Umumiy kollektorli kaskadni hisoblash
Multisim laboratoriya majmuasini ishga tushiramiz va MS12 muhitning ish maydonida umumiy emitterli (UE) bipolyar tranzistorning kuchaytirgichni sinash uchun sxemani yig‘amiz (10-rasm), sxema elementlarining parametrlarini hisoblash usullari bilan tanishamiz va ularni tuzuvchi (komponentlar)ning dialog derazalariga (okna) o‘rnatamiz.
4.8-rasm Bipolyar tranzistorli kuchaytirgich

Umumiy emitterli VT1 tranzistorli kuchaytirgich sxemasiga, (2N3906 turdagi va parametrlari: U_K.max=40 V; I_K.max =0,2 A; h_21E=30…300; f_max

=300 MGz; P_K=0,625 Vt bo‘lgan) R1 i Rk potentsiomerlar, Rs, Re va Rn
doimiy rezistorlar, S1…S3 sig‘imlar, A qayta ulagich va V kalit ulangan.
Energiya manbai sifatida EYuK E₂=12 V bo‘lgan doimiy kuchlanish generatoridan foydalanilgan, kirish signalining manbai sifatida esa- E1 sinusoidal kuchlanish generatori ishlatilgan. Sinov natijalarini vizuallashtirish uchun sxemaga A1 va A2 ampermetrlar, V1 i V2 voltmetrlar, ikki kanallik XSC2 ossillograf va XVR1 plotter (kuchlanish kuchaytirgining AChX va FChX xarakteristikalarini tuzuvchi) lar kiritilgan.

1. 
   Sxema elementlari parametrlarini hisoblashni quyidagi munosabatlar orqali amalga oshiramiz:
   

R_K  E₂/I_K.max=12/(0,2)=60 Om  kollektorning qarshiligi (emitterning teskari aloqasisiz (A qayta ulagich o‘ng holatda turganda, V kalit ochiq holatda, 4.8-rasmga qarang));
U_Kp  E₂/2=6 B; I_Kp  (E₂  U_Kp)/R_K= 6/60=100 mA  sokin (tinch) holatdagi kollektordagi doimiy kuchlanish va tok;
I_Bp _.I_Kp/h₂₁=100/135  0,75 mA  sokin holatda baza toki, bunda h₂₁=135  2N3906 turdagi tranzistorning tok uzatish koeffitsientining o‘rtacha qiymati;
R₁  (E₁  U_Бп ) / I_Бп  (12  0,65) / 0,75 10^3  15 кОмbaza zanjiridagi R1 rezistorning qarshiligi, bunda U_Bp  0,65 V kremniyli va U_Bp _. 0,3 V germaniyli tranzistorlar uchun;
R_e  (0,1…0,2)E₁/I_Ep=0,212/0,075=32 Om  emitter zanjiridagi R_e
qarshilik, I_Ep  I_Kp  0,75 mA – R_e rezistor ulangandagi kollektor toki.
R₂=(0,3…0,5)R₁  talab etilayotgan sokin kuchlanishni olish uchun, baza va kuchaytirgichning umumiy nol nuqtasi orasiga ulangan rezistorning qarshiligi:

^UБЭп
 E₁R₂ /(R₁ 
^R2 ^{)  R}e ^IЭп ^{. (4.23)}

Aytaylik: R₂=6 kOm.
Umumiy emitterli va emitterli turg‘unlovchi (stabilizatsiey) uchun taklif etilayotgan rejim: U_Kp  (2/3)E₁=8 V va U_Ep  (1/3)E₁=4 V va buni R1, Rk potentsiometrlarning va Re rezistorning qarshiligini o‘zgartirish bilan o‘rnatish mumkin .
Salbiy teskari aloqa (OOS)ning o‘zgaruvchan tok tuzuvchiga ta’sirini yo‘qotish uchun Re rezistor C2 sig‘im bilan shuntlanadi (qisqa tutashtiriladi), kuchaytirilayotgan signalning past chastotali tuzuvchisi uchun sig‘im qarshiligi Re rezistor qarshiligidan bir tartibga kam bo‘lishi lozim. C2=8 mF deb qabul qilsak, unda kondensatorning qarshiligi C2 X_S2
 20/f ga teng bo‘ladi .



11-rasm Bipolyar tranzistorli kuchaytirgich ossillogrammasi

12-rasm Bipolyar tranzistorli kuchaytirgich ossillogrammalari
FChX grafiklaridagi sakrashlar, chiqish signalining kirish signali fazasiga nisbatan o‘zib ketishi va kirish signalining faza bo‘yicha kechikishi nuqtalariga o‘tishi tufayli sodir bo‘ladi. Modellashtirish chegaralari AChX (Magnitude) va FChX (Phase) chastota kutaytirgichi (pastki (I) f_n =1 Gz va tepa (F) f_v=1 GGz), kuchaytirish koeffitsienti bo‘yicha K_u=0…100, faza siljishi burchagi bo‘yicha 360 dan +360 gacha) va shkala turi (chiziqli (Lin) yoki logarifmik (Log)) plotter oynasida beriladi (12-rasmga qarang, o‘ngdagi)