Energetika va sanoatni axborotlashtirish fakulteti Informatika va axborot texnologiyalari kafedrasi Elektronika va sxemotexnika fanidan kurs ishi mavzu: Umumiy emitterli kuchaytirgichni tahlil qilish. Umumiy kollektorli kaskadni hisoblash

Ummumiy emmitterli kuchaytirgichlarni xususiyatlari.
Tranzistor — ikki va undan ortiq p-n- o‘tishdan tuzilgan yarimo‘tkazgich asbob bo‘lib, signalni kuchaytirish yoki signalni shakllantirish uchun xizmat qiladi. Signal axborot tashuvchi elektr kattalik, tok yoki
kuchlanish bo‘lishi mumkin. Axborot tok yoki kuchlanishning amplitudasi, chastotasi yoki boshlang‘ich fazasi orqali, masalan, ovoz elektromagnit amplitudasi orqali ifodalanadi. Bu elektromagnit to‘lqin alohida qabul
qiluvchi mexanizm yordamida tok yoki kuchlanishga aylantiriladi. Bu signal kuchaytiriladi va qator qayta ishlashlardan keyin radiodinamik mexanizmda ovozga aylantiriladi.Tranzistorlar ikkita p-n- o‘tishdan iborat bo‘lib, bu o‘tishlar navbatlashib kelishiga qarab ikki turga bo‘linadi:
p-n-p- tranzistor va n-p-n- tranzistor. Tranzistorlarda uchta qatlam bo‘lib, o‘rtadagi qatlam baza deb, ikki tomondagisi emitter va kollektor deb ataladi. Emitter qatlami zaryadlangan zarrachalar (elektronlar va teshiklar) bilan ta’minlovchi qatlamdir.

1-rasm
rasmda p-n-p- triodning qatlamlari va ularning shartli belgilanishi ko‘rsatilgan. Tranzistor qutblarining ishorasi ularni ulash sxemasiga bog‘liq. Sanoat elektrotexnikasida ko‘pincha umumiy emitter sxema qo‘llaniladi. 2 – rasmda umumiy emitter sxemaning xarakteristikasi ko‘rsatilgan. Yarimo‘tkazgichli triodning me’yoriy ishlashi diodnikiga o‘xshash bo‘lib, uning haroratiga bog‘liq.
Umuman, yarimo‘tkazgichli barcha asboblarning ishlash xususiyati atrof-muhitning, demak, uning o‘zining haroratiga bog‘liq.




2-rasm

Kuchaytirgichda o‘zgaruvchan signal manbaidan tashqari, R_vt ichki qarshilikli E_n EYuK li kuchlanish manbai (odatdagi kuchlanishi U_n q 10…30 V ) ham ishlatiladi. R_K rezistorning qarshiligi kirish signallarini kuchaytirish va VT tranzistorning I_K kollektor tokini cheklashlarga qo‘yiladigan talablarga qarab tanlanadi. Odatda R_K kam quvvatli tranzistorlar uchun 0,2…5 kOm ni va o‘rtacha quvvatli tranzistorlar uchun esa 100 Om ni tashkil etadi. U_n kuchlanish manbai bo‘luvchi (delitel)sining R_B1 va R_B2 rezistorlari tranzistor bazasidagi tokni o‘rnatish uchun mo‘ljallangan bo‘lib (doimiy tok bo‘yicha), yuklama chizi/ining ishchi nuqtalari (sokinlik nuqtalari) mos ravishda.

R_E rezistor yordamida kuchaytirgichning doimiy tok bo‘yicha teskari aloqasi hosil etiladi va u kuchaytirish rejimining harorat turg‘unligini ta’minlaydi. Shunday qilib, harorat oshishida I_K kollektor va I_E emitter tokining va R_EI_E kuchlanish pasayishining doimiy tuzuvchilari ko‘tariladi. Natijada, U_BE kuchlanish pasayadi, bu esa o‘z navbatida I_B baza tokini kamaytiradi va oqibatda I_K kollektor tokini kamaytiradi va turg‘unlashtiradi.
C_E katta sig‘imli kondensator (o‘nlab mikrofaradalik) R_E rezistor qarshiligini o‘zgaruvchan tok bo‘yicha shuntlaydi (qisqa tutashtiradi), bu esa o‘z navbatida teskari aloqa zanjiridagi kuchaytirilayotgan signalning o‘zgaruvchan tok bo‘yicha zaiflashini oldini oladi.


2.1-rasm Umu miy emitterlu kuchaytirgich sxemasi

E_c


^Uk i r
^Ik i r


С₁


I_К R_К

С
^RB 1 ²
VT ⁱ²
I_B
I
U_{n En}


R