Elektroradio ashyolar va tibbiyot texnikasini

6.9.  Integral  mikrosxemalar  rezistorlari
Yarimo‘tkazgichli  integral  sxemalarning  barcha  elementlari
(tranzistorlar,  diodlar,  rezistorlar  va  kondensatorlar)  kremniy,
arsenid,  galliy  asosning  r-n  o‘tishlari  bazasida  epitaksiya  va
diffuziya  usuli  bilan  yaratiladi.  Yarimo‘tkazgichli  sxemalar
rezistorlari  baza  sohasida  olinadi  va  ularning  qarshiligi  soha
qarshiligi  bilan  belgilanadi  va  25  Om  dan  bir  necha  kiloom-
largacha  bo‘lgan  oraliqda  bo‘ladi.  Rezistorlarning  texnologik
aniqligi 30% dan oshmaydi, QTK=10
-3
· 1/°C.
Qalin pardali mikrosxema rezistorlarini iðak-grafiya usuli —
keramik  asos  (22XC  keramikasi)  sirtiga  maxsus  trafaret  orqali
surtish  va  ularni  kuydirish  (qizigan  keramika  usuli)  yo‘li  bilan
olinadi.
Maxsus ishlarga mo‘ljallangan yupqa pardali mikrosxemalar
mikroelektron texnikada keng qo‘llanilmoqda. Ular asosida yirik
gibrid integral  sxemalar yaratilmoqda. Buning  sababi shundaki,
yupqa  pardali  texnologiya  elementlarining  nominal  qiymati
chegaralarini kengaytirishga va yanada yuqori aniqlikka, barqa-
rorlikka va ishonchlilikka erishishga imkon beradi.
Yupqa pardali sxemalar rezistorlari metallar yoki boshqa tok
o‘tkazuvchi  moddalar,  odatda,  oksid  asoslarga  purkash  yo‘li
bilan  olinadi.  Rezistorlarning  konfiguratsiyasi  maskalarning
rezitsiv qatlami topologiyasi (joylashtirilishi va o‘lchamlari bilan)

---

132
orqali belgilanadi. Tok o‘tkazuvchi moddalar maskadagi «darcha»
orqali  purkaladi.  Bunda  vakuumda  termik  bug‘lantirishdan  yoki
katod  changlatishdan  foydalaniladi.  Changlatish  jarayoni  max-
sus vakuum qurilmalarida o‘tkaziladi.
Maskalar  metalldan  qilingan  va  fotorezitsiv  bo‘lishi  mumkin.
Fotorezitsiv  maskalar  ajratish  qobiliyati  mikrometrlarni  tashkil
etadigan  fotolitografiya  usuli  bilan  olinadi.  Biroq  texnologik  va
aniqlik  nuqtayi  nazaridan  maskadagi  «darcha»ning  minimal  yo‘l
qo‘yilgan  eni  50—100  mkm  ga  teng  qilib  olinadi.  Rezistorlarga
purkash  uchun  MLT-ZM  qotishmasi,  tantal,  kermetlar  va  silitsid-
lardan foydalaniladi.
6.1-jadval