Elektron asboblar va mikroelektronika

Kanali qurilgan MDYA - tranzistorlar

5.7 –rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYA tranzistor tuzilmasi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan.

Agar U_ZI = 0 bo`lganda U<sub>SI</sub> kuchlanish o`rnatilsa, u holda kanal orqali elektronlar hisobiga tok oqib o`tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko`ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta`sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag’allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo`lsa, bu tok shuncha kichik bo`ladi. Tranzistorning bunday rejimi kabag’allashish rejimi deb ataladi.
Agar zatvorga musbat kuchlanish ta`sir ettirilsa, hosil bo`lgan elektr maydoni ta`sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar, kanalning o`tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim boyish rejimi deb ataladi.
Ko`rib o`tilgan jarayonlar 5.8 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor xarakteristikada: U<sub>SI</sub>=const bo`lgandagi I_S= f (U_ZI) bilan ifoda-langan.
0 bo`lganda tranzistor boyish rejimida, 0 bo`lganda esa kambag’allashish rejimida ishlaydi.

a) b)
5.7 – rasm.

Boyish rejimida stok xarakteristikalari U_ZI = 0 da olingan boshlang’ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag’allashish rejimida esa – pastda joylashadi (5.8 b- rasm).

a) b)
5.8 – rasm.
S, Ri va statik differentsial parametrlar xuddi r–n –o`tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (5.4), (5.5) va (5.6) ifodalardan mos ravishda aniqlanadi.
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo`ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo sig’imlarga kelsak, MDYA – tranzistorlar r-n o`tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko`rsatkichlarga ega. R_ZI kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo`lib 10<sup>12</sup>-10<sup>15</sup> Om ni tashkil etadi. elektrodlararo sig’imlar qiymati S<sub>ZI</sub>, S<sub>SI</sub> lar uchun -10 pF dan, S<sub>ZS</sub> uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu ko`rsatkichlar tranzistor inertsiyasini belgilaydilar.