Conference Paper

Фойдаланилган адабиётлар: 
1. В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников «Физика полупроводников», Наука, М.:1977.
2. Г. Гулямов , У.И. Эркабоев , Н.Ю. Шарибаев , А.Г. Гулямов ЭДС, возникающая в 
p−n-переходе при воздействии сильного СВЧ поля и света/ Физика и техника 
полупроводников, 2019, том 53, вып. 3 
3. С. Зи “Физика полупроводниковвых приборов” том – 1. Стр (91 – 100). 
4. С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев , А.Г. Гулямов Вихревые токи, 
возникающие на p−n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле/ 
Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, вып. 9 
5. 
С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов , М.Г. Дадамирзаев , А.Г. Гулямов 
Сверхвысокочастотный квазипотенциал и вихревые токи в p−n-переходе/ Физика и 
техника полупроводников, 2011, том 45, вып. 8 
6. Ҳелмут Спиелер “Introduction to radiation detectors and Electronis”, 30 – мар – 99. 
IX.2.a. A semiconductor device primer – doping and diodes. 

---

Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
234 
МИКРОТЎЛҚИНЛИ НУРЛАНИШНИНГ P – N ЎТИШ ВОЛЬТ – АМПЕР 
ХАРАКТЕРИСТИКАСИГА ТАЪСИРИ 
Гулямов Г.
 1
, Гулямов А.Г.
 2
, Шахобиддинов Б.Б.
 1
, Мажидова Г.Н.
 1
 
Абдукаримов А.А. 
3
 
1
Наманган муҳандислик-қурилиш институти,
2
ЎзФА Физика – техника институти,
3
Наманган давлат унверситети 
Германий асосли 
p – n 
ўтишли яримўтказгичимизни ЎЮЧ таъсиридаги вольт – 
ампер характеристикасини кўриб чиқамиз. 
p – n 
ўтиш ҳажмий заряд қалинлигини 
электронларнинг эркин югириш йўлидан кичик деб ҳисоблаймиз ва масалани диод 
яқинлашишида кўрамиз. У ҳолда коваклар ҳосил қилган ток зичлиги ифода билан 
топилади [1]. 
ифода билан. Электронлар ҳосил қилган ток зичлиги эса 
Умумий ток зичлиги зса қуйдагича бўлади. 
(1) 
(2) 
Бу ерда 
D
p
, 
D
n
 
– ковак ва электронларнинг диффузия коефиценти, 
p
n
– n 
соҳадаги коваклар концентрацияси, 
n
p
– p соҳадаги электронлар концентрацияси, 
L
p 
, 
L
n
– ковак ва электронларнинг диффузия узунликлари ва улар қуйидаги ифодалар 
ёрдамида аниқланади.
(3) 
Бу ерда 
τ
p
 , τ
n
– ковак ва электронларнинг ўртача яшаш вақти 
τ
p
=10
-3
c
, 
τ
n
=10
-3
c га 
тенг [2]. (2) ва (3) ифодаларни (1) га қўйсак қуйидаги ифодани оламиз. 
(4) 
Бу ифода
p – n
ўтишли яримўтказгичарни ҳечқандай ташқи таъсирларсиз 
ҳолатдаги вольт – ампер характеристикасини аниқлайди. 
p – n
ўтиш яримўтказгичга ЎЮЧ таъсирини кузатишимиз учун (4) ифодани 
қуйидагича ёзишимиз мумкин [3]. 
(5) 
Бу ифодада φ
0
– бошланғич потенциал тўсиқ баландлиги, 
T
e
 
, 
T
h
– қизиган 
электрон ва ковакларнинг харорати, 
T
– яримўтказгич панжарасининг харорати, 
u
e
= 
u
h
– ЎЮЧ таъсирида 
p – n
ўтишдаги электрон ва ковакларни потенциал тўсиқ 
баландлигининг модуляцияланиши ва у қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади [3]. 
(6) 

---

Техник ва технологик фанлар со
ҳ
аларининг инновацион масалалари. ТДТУ ТФ 2020 
235 
(7) 
Бу ерда 
U
b
– ЎЮЧ электромагнит тўлқининг ампилитудавий қиймати. (6) ва (7) 
ифодаларга кўра 
T
e1
=T
h1
=35
0 
K
да 
u
e1
=0.668В, u
h1
=0.668В
га, 
T
e2
=T
h2
=
400 
K
да эса 
u
e2
=0.67В, u
h2
=0.67
В га тенг. (13) ифода ёрдамида вольт – ампер характеристикасига 
ЎЮЧ майдон таъсирини кўрсатувчи графикларини олдик . Германий учун
T
=300 
K
да 
n
i
=2,4∙10
13
sm
-3
га тенглигидан [4] 
n
n
=10
15
sm
-3
– 
n
- 
соҳадаги электронлар 
концентрацияси,
p
p
=10
15
sm
-3
– 
p
-соҳадаги коваклар концентрацияси бўлганда асосий 
бўлмаган заряд ташувчилар концентрацияси учун 
n
n
∙
p
n
=
n
p
∙
p
p
=
n
i
2
бу ифода орқали 
n
p
=5,76∙10
11
sm
-3
ва 
p
n
=5,76∙10
11
sm
-3
ларни аниқлаб оламиз. Бу ҳолат учун юқорида 
бошланғич потенциал тўсиқ баландлиги 
φ
0 
= 0.2 v эканлигини топганмиз.
Вольт – ампер характеристикасида 
J=0
да эркли ўзгарувчи 
u
нинг 0 дан фарқли нуқтада 
кесиб ўтса, шу нуқта 
u
x
=E
ЭЮК га тенг бўлади. [1]. 
1 – 2 – расмдаги графиклардан шуни кўришимиз мумкинки A) ташқи таъсир 
бўлмаганидаги ВАХ координата бошидан ўтади ва бунда хеч қандай ЭЮК ҳосил 
бўлмайди. В) Ташқи ЎЮЧ майдон қўйилганда 
T
e1
=T
h1
=350 K 
ва
u
e1
=u
h1
=0.668В 
қийматларида 
Е=0,74V 
ЭЮК ҳосил бўлади, С) 
T
e2
=T
h2
=
400 
K
ва 
u
e2
=u
h2
=0.67В
қийматларида 
Е=0,82V
ЭЮК ҳосил бўлади, B
1
) 
T
e1
=T
h1
=350 K 
ва
u
e1
=u
h1
=0 
қийматларида 
Е=0,075V
ЭЮК ҳосил бўлади, С
1
) 
T
e2
=T
h2
=
400 
K
ва 
u
e2
=u
h2
=0
қийматларида 
Е=0,15V
ЭЮК ҳосил бўлганини кўришимиз мумкин.
1 – расм. 2 - расм 
2 – расмдаги ВАХ яримлогорифм маштабда катта токларда аниқроқ кўриш учун 
ln(J/J
s
) 
токлар логарифмининг ташқи кучланишга боғлиқлиги киритилган . 
Шундай қилиб бажарилган ишлардан қўйидагича хулоса чиқариш мумкин. p-nўтиш 
диодда ҳосил бўлаётган ЭЮК ва ундан ўтаётган токлар p-nўтишнинг p ва n 
соҳалардаги квазихимпотенциалларининг қийматларига кучли боғлиқ бўлади. 
Диоднинг ВАХни билган ҳолда ташқи ЎЮЧ майдон таъсирида p-nўтишли диоднинг 
базалардаги электрон ва ковакларнинг квазихимпотенциалларини аниқлаш мумкин.