Buxoro davlat universiteti O’zbekiston respublikasi

Konstruktiv parchalash metodi.
Bu metod IBM laboratoriyasi tadqiqotchilari tomonining ishlab chiqiladi. 
Oldin aytib o’tganimizdek, nanotrubkalar nafaqat metall xusiyatlariga, balki yarim
o’tkazgich xususiyatlariga ham egadir. Ular asosidagi bir qator qurilmalarni ishlab 
chiqarishda, faqat yarim o’tkazgichli nanotrubkalar kerak. (misol; tranzistorlar va
ular yordamida ishlaydigan protsessorlar) IBM dagi olimlar “konstruktiv 
parchalash” usulini ishlab chiqdiki, bu usul barcha metall nanotrubkalarni
parchalab, yarim o’tkazgichli nanotrubkalarga ziyon yetkazmaydi. Ya’ni ular birin-
ketin ko’p qavatli nanotrubkadagi qatlamlarni bittadan (MCHT- mnogostennaya
nanotrubka) yoki bir qatlamli metall nanotrubkani (OCHT) tanlab parchalaydi.
Bu jarayon qisqacha quyidagicha kechadi:
1. Metall va yarim o’tkazgich trubkalarning yopishgan “kanapchalari”ni 
kremniy oksiddan iborat asosga joylashadi.
2. So’ngra nanotrubkalar ustidan asosga elektrodlardan iborat metografik 
maska qo’yiladi. Bu elektrodlar yarim o’tkazgichli nanotrubkalar uchun o’chirib
yoqish funksiyasini bajaradi.
3. Olimlar kremniyli asosning o’zini elektrod sifatida qo’llab, yarim
o’tkazgichli nanotrubkalarni o’chiradi. Natijada ular har qanday tokni ham o’zidan 
o’tkazmaydi.
4. Metall nanotrubkalar himoyasiz qoldi. Shundan so’ng asosga mos 
kuchlanish qo’yiladi. Bu kuchlanish metall nanotrubkalarni parchalaydi, bu vaqtda
yarim o’tkazgichli nanotrubkalar izolyatsiyalanib qoladi. Natijada ishlashga qodir 
yarim o’tkazgichli nanotrubkalarning katta massasi tranzistorlar qoladi-ki, ularni
logik zanjirlar, ya’ni protsessorlar sifatida ishlatish mumkin.

---

29 
1.3. Uglerodli nanotrubkalar asosidagi qurilmalar 

Diod. 
Silindrik 
egilmagan
nanotrubkalar 
takrorlanadigan
uglerodli 
oltiburchaklardan hosil bo’ladi. Agar uglerodli olti burchakni, besh burchakka,
yetti burchakka yoki ikkita va yettita nuqsonlarga almashtirilsa nanotrubka egiladi. 
Egilishga nisbatan turli tomonlarning uglerodli olti burchaklarning orientatsiyasi
turlicha bo’ladi. Nanotrubka o’qiga olti burchaklarning orientatsiyasi o’zgarishi 
bilan uning elektron spektri, Fermi sathining joylashuvi, optik tirqish kengligiga va
hokazolar o’zgaradi. Xususiy holda egilishga nisbatan nanotrupka chapdan metall 
o’ng tomondan esa yarim o’tkazgich bo’lishi kerak. Shunday qilib bu egilgan nano
trupka o’zining molekulyar getero o’tish metall yarim o’tkazgichni namoyon
etadi. Nanotrubkaning berilgan bo’laklarini izolyatsiyalangan deb qaralsa,
egilishga nisbatan turli tomonlarning Fermi sathidagi elektronlar turli 
energiyalarga ega. Butun sistemada energiyadan yutish zaryad oqimiga va
potensial bar’yerning hosil bo’lishiga olib keladi. Bunday o’tishda elektr toki 
faqatgina elektronlar nanotrubkaning katta Fermi energiyali sohasidan quyi
energiyali sohasiga o’tganida oqadi. Boshqacha aytganda tok faqat bir yo’nalishda 
oqishi mumkin. Egilgan nanotrubkadan tokning “bir tomonlama” oqishi elektron
sxemalardan asosi bo’lgan “to’g’rilagich diodlarni” ishlab chiqarishda ishlatiladi.