Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

Bipolyar tranzistorlarning chastota xususiyatlari

Emitentdan kollektor o'tish joyigacha bazaga quyilgan ozchilik zaryad tashuvchilarni tarqalish jarayoni diffuziya bilan davom etadi. Bu jarayon ancha sekin kechadi va emitentdan yuborilgan tashuvchilar kollektorga bazadan tashuvchilar tarqalishidan oldin etib boradi. Bunday kechikish hozirgi Ie va hozirgi Ik o'rtasida o'zgarishlar o'zgarishiga olib keladi. Past chastotalarda Ie, Ic va Ib oqimlarining fazalari bir-biriga to'g'ri keladi.
Kuchlanish moduli β0 statik qiymati bilan taqqoslaganda bir marta kamaytiriladigan kirish signalining chastotasi, umumiy emitentli zanjirda bipolyar tranzistorning tok kuchini cheklash chastotasi deb ataladi.


Fβ - chiqib ketish chastotasi (chiqib ketish chastotasi)
fgr - uzilish chastotasi (birlik tezligi)

Dala effektli tranzistorlar

Dala yoki bir qutbli tranzistorlar asosiy fizik printsip sifatida maydon ta'siridan foydalanadilar. Bistolyar tranzistorlardan farqli o'laroq, unda har ikkala asosiy va kichik tashuvchilar turi tranzistor effekti uchun javobgardir, dala effektli tranzistorlarda tranzistor effektini amalga oshirish uchun faqat bitta turdagi tashuvchilar qo'llaniladi. Shu sababli, maydon effektli tranzistorlar bir qutbli deb nomlanadi. Dala effektini amalga oshirish shartlariga qarab, dala effektli tranzistorlar ikki sinfga bo'linadi: izolyatsiya qilingan eshikli dala effektli tranzistorlar va boshqarish pn birikmasi bo'lgan dala effektli tranzistorlar.

Boshqaruv p-n birikmasi bo'lgan maydon effektli tranzistorlar

Sxematik ravishda boshqarish p-n birikmasiga ega bo'lgan maydon effektli tranzistor plastinka shaklida ifodalanishi mumkin, uning uchlariga elektrodlar, manba va drenaj ulanadi. Shakl. n-tipli kanalli dala transistorining tuzilishi va ulanish diagrammasini ko'rsatadi:

N-kanalli tranzistorda kanaldagi asosiy zaryad tashuvchilar elektronlar bo'lib, ular kanal bo'ylab past potentsial manbadan yuqori potentsialli drenajga o'tib, Ic drenaj oqimini hosil qiladi. Darvoza va manba o'rtasida kuchlanish qo'llaniladi, bu kanalning n-mintaqasi va eshikning p-mintaqasida hosil bo'lgan p-n birikmasini bloklaydi.
Uzi p-n-birikmasiga to'siq kuchlanishi qo'llanilganda, kanal chegaralarida zaryad tashuvchilarda tükenmiş va yuqori qarshilikka ega bo'lgan bir xil qatlam paydo bo'ladi. Bu Supero'tkazuvchilar kanal kengligining pasayishiga olib keladi.
Ushbu kuchlanish qiymatini o'zgartirib, kanalning kesimini o'zgartirish va shuning uchun kanalning elektr qarshiligi qiymatini o'zgartirish mumkin. N-kanalli dala effektli tranzistor uchun drenaj potentsiali manba potentsialiga nisbatan ijobiy bo'ladi. Darvoza topraklandığında, oqim drenajdan manbaga oqib keladi. Shuning uchun, oqimni to'xtatish uchun eshikka bir necha voltli teskari kuchlanish qo'llanilishi kerak.