Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

Tezlik va kirish qarshiligini oshirish uchun dala effektli tranzistorlarning kalitlari ishlatiladi.
P-n-birikmasi bilan boshqariladigan va umumiy manba va umumiy drenajga ega bo'lgan induktiv kanalli dala effektli tranzistorlar zanjirlarini almashtirish quyidagi rasmda keltirilgan:

Rn> 10-100 kOm maydon effektli tranzistorni har qanday almashtirish uchun.
Darvozadagi Uin boshqaruv signali 10-15 V tartibda, yopiq holatda dala effektli tranzistorning qarshiligi yuqori, 108 -109 Ohm tartibida.
Dala effektli tranzistorning holatdagi qarshiligi 7-30 ohm bo'lishi mumkin. Dala effektli tranzistorning boshqaruv davri bo'ylab qarshiligi 108 -109 ohm bo'lishi mumkin. ("a" va "b" davrlari) va 1012-1014 ohm ("c" va "d" davrlari).

Quvvatli (kuchli) yarimo'tkazgichli qurilmalar

Kuchli yarimo'tkazgichli qurilmalar texnologiyaning eng tez rivojlanayotgan va istiqbolli sohasi bo'lgan elektr elektronikada qo'llaniladi. Ular o'nlab, yuzlab amper, o'nlab, yuzlab voltli oqimlarni boshqarish uchun mo'ljallangan.
Quvvatli yarimo'tkazgich qurilmalariga tiristorlar (dinistorlar, SCRlar, triakalar), tranzistorlar (bipolyar va maydon effekti) va statik induktsiya qilingan bipolyar tranzistorlar (IGBT) kiradi. Ular elektron sxemalarni almashtirish uchun elektron kalitlar sifatida ishlatiladi. Ularning xarakteristikalari ideal tugmachalarning xususiyatlariga yaqinlashishga harakat qilinadi.
Ishlash printsipi, xarakteristikalari va parametrlariga ko'ra kuchli tranzistorlar kam quvvatga o'xshash, ammo ba'zi bir xususiyatlar mavjud.

Quvvatli maydon effektli tranzistorlar

Hozirgi vaqtda dala effektli tranzistor eng istiqbolli quvvat qurilmalaridan biri hisoblanadi. Eng ko'p ishlatiladigan tranzistorlar izolyatsiya qilingan eshik va induktiv kanalli tranzistorlardir. Kanalning qarshiligini kamaytirish uchun uning uzunligi kamayadi. Transistorda drenaj oqimini oshirish uchun yuzlab va minglab kanallar amalga oshiriladi va kanallar parallel ravishda ulanadi. Dala effektli tranzistorning o'z-o'zini isitish ehtimoli kichik, chunki kanalning qarshiligi harorat oshishi bilan ortadi.