Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

Nuqta chiziq p-n-o'tish joylarini bildiradi. Haqiqiy kanallar soni minglab bo'lishi mumkin. Odatda SIT umumiy manba zanjirlarida ishlatiladi.
Ko'rib chiqilgan qurilmalarning har biri o'z dastur maydoniga ega. Tiristor kalitlari past chastotalarda (kiloherts va undan past) ishlaydigan qurilmalarda qo'llaniladi. Bunday tugmachalarning asosiy kamchiliklari past ishlashdir.
Tiristorlarni qo'llashning asosiy sohasi tezlikka jiddiy talablar qo'ymaydigan bir necha megavattgacha yuqori quvvatga ega past chastotali qurilmalardir.
Kuchli bipolyar tranzistorlar 10-100 kHz oralig'ida kommutatsiya yoki konversiyalash chastotasi bo'lgan qurilmalarda yuqori kuchlanishli kalit sifatida ishlatiladi, chiqish quvvati Vt dan bir necha kVtgacha. Kommutatsiya kuchlanishining optimal diapazoni 200-2000 V ni tashkil qiladi.
Dala effektli tranzistorlar (MOSFET) past kuchlanishli yuqori chastotali qurilmalarni almashtirish uchun elektron kalit sifatida ishlatiladi. Kommutatsiya qilingan kuchlanishlarning optimal qiymatlari 200 V dan oshmaydi (maksimal qiymat 1000 V gacha), kommutatsiya chastotasi kHz dan 105 kHz gacha bo'lgan birliklarda bo'lishi mumkin. Kommutatsiya qilingan oqimlarning diapazoni 1,5-100 A ni tashkil etadi. Ushbu qurilmaning ijobiy xususiyatlari - kuchlanishni boshqarish, oqim emas va boshqa qurilmalarga nisbatan haroratga kamroq bog'liqlik.
Izolyatsiyalangan eshikli bipolyar tranzistorlar (IGBT) 20 kHz dan past chastotalarda ishlatiladi (ba'zi turdagi qurilmalar 100 kHz dan yuqori chastotalarda ishlatiladi) 1 kVt dan yuqori quvvatga ega. 300-400 V. dan past bo'lmagan kuchlanishni almashtirish 2000 V dan yuqori kuchlanishning optimal qiymatlari IGBT va MOSFET to'liq yoqish uchun 12-15 V dan oshmasligi kerak; qurilmalarni yopish uchun salbiy kuchlanish talab qilinmaydi. Ular yuqori o'tish tezligi bilan ajralib turadi.
Sertifikatlash uchun tayyorgarlik uchun material
Kerakli tushuntirishlar berilgan, gapga to'xtalamiz.