Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

"On" holatida diod ochiq va Uout ≈ Uin.
"O'chirish" holatida diod yopiq va Uout Uin · Rn / Rmax<<="" p="">
Kommutatsiya vaqtini qisqartirish uchun diodlar 0,5-0,0 mF tartibdagi o'chirish vaqtini ta'minlagan holda, 0,5-2 pF darajadagi kichik ulanish sig'imi bilan foydalaniladi.
Diyot kalitlari ko'pincha amaliy davrlarda talab qilinadigan boshqaruv va boshqariladigan davrlarni elektr bilan ajratishga imkon bermaydi.

Transistorlar kalitlari

Kompyuterlarda, telekontrol qurilmalarida, avtomatik boshqaruv tizimlarida va boshqalarda ishlatiladigan sxemalarning aksariyati tranzistorli kalitlarga asoslangan.
Bipolyar tranzistorning kalit davrlari va I - V xarakteristikasi rasmda ko'rsatilgan:

Birinchi holat "o'chirilgan" (tranzistor yopiq) tranzistorning chiqish xususiyatlari bo'yicha A1 nuqtasi bilan aniqlanadi; bunga cheklash rejimi deyiladi. Chiqib ketish rejimida asosiy oqim Ib = 0, kollektor oqimi Ik1 dastlabki kollektor oqimiga teng va kollektor kuchlanishi Uk = Uk1 ≈ Ek. Chiqib ketish rejimi Uin = 0 yoki salbiy negiz potentsialida amalga oshiriladi. Ushbu holatda kalitning qarshiligi maksimal qiymatiga etadi: Rmax =, bu erda RT - tranzistorning yopiq holatdagi qarshiligi, 1 MΩ dan yuqori.
Ikkinchi holat "yoqilgan" (tranzistor ochiq) I - V xarakteristikadagi A2 nuqta bilan aniqlanadi va to'yinganlik rejimi deyiladi. Doygunlik rejimidagi (A2) o'chirish rejimidan (A1) tranzistor Uin musbat kirish kuchlanishi bilan almashtiriladi. Bunday holda, Uout kuchlanishi minimal qiymatni oladi Uk2 = Uk.e. 0,2-1,0 V atrofida, kollektor oqimi Ik2 = Ik.nas ≈ Ek / Rk. Doygunlik rejimidagi bazaviy tok shartdan aniqlanadi: Ib> Ib.sat = Ic.sat / h21.
Transistorni ochiq holatga o'tkazish uchun zarur bo'lgan kirish kuchlanishi shartdan aniqlanadi: U kirish> Ib.sat · Rb + Uc.e.sat
Yaxshi shovqin immuniteti va tranzistorda tarqalgan kam quvvat tranzistor ko'pincha to'yingan (A2) yoki yopiq (A1), va bir holatdan ikkinchisiga o'tish vaqti davomiylikning kichik qismi ekanligi bilan izohlanadi. ushbu davlatlarning. Bipolyar tranzistorlarda kalitlarni almashtirish vaqti pn birikmalarining to'siq sig'imlari va bazadagi ozchilik zaryad tashuvchilarni to'plash va rezorbsiya jarayonlari bilan belgilanadi.