Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

Quvvatli maydon effektli tranzistorlar vertikal tuzilishga ega. Kanallar vertikal va gorizontal joylashtirilishi mumkin.

DMDP tranzistor

Ushbu ikkita diffuzion MIS tranzistor gorizontal kanalga ega. Rasmda kanalni o'z ichiga olgan tuzilish elementi ko'rsatilgan.

VMOS tranzistor

Ushbu V shaklidagi MOSFET vertikal kanalga ega. Rasmda ikkita kanalni o'z ichiga olgan bitta tuzilish elementi ko'rsatilgan.

VMOS tranzistor va DMOS tranzistorlarining tuzilmalari o'xshashligini ko'rish oson.

IGBT tranzistor

IGBT - gibrid yarimo'tkazgichli qurilma. U elektr tokini boshqarishning ikkita usulini birlashtiradi, ulardan biri dala effektli tranzistorlar uchun (elektr maydonini boshqarish), ikkinchisi - bipolyar (elektr tashuvchilarning in'ektsiyasini boshqarish) uchun xosdir.
Odatda, IGBT n-turdagi MOSFET tuzilmasidan foydalanadi. Ushbu tranzistorning tuzilishi DMDP tranzistorining tuzilishidan qo'shimcha p tipidagi yarimo'tkazgich qatlami bilan farq qiladi.

E'tibor bering, "emitent", "kollektor" va "eshik" atamalari odatda IGBT elektrodlariga murojaat qilish uchun ishlatiladi.
P-tipli qatlamning qo'shilishi natijasida ikkinchi bipolyar tranzistor tuzilishi (p-n-p turi) paydo bo'ladi. Shunday qilib, IGBTda ikkita bipolyar tuzilmalar mavjud - n-p-n turi va p-n-p turi.
UGO va IGBT o'chirish davri quyidagi rasmda ko'rsatilgan:

Chiqish xususiyatlarining odatiy ko'rinishi rasmda ko'rsatilgan:

SIT tranzistor

SIT - bu statik induksiya pn-birikma maydon effekti tranzistoridir. U ko'p kanalli va vertikal tuzilishga ega. SITning sxematik diagrammasi va umumiy manbali ulanish rasmda ko'rsatilgan:

P tipidagi yarimo'tkazgichning mintaqalari silindr shakliga ega, uning diametri bir necha mikrometr yoki undan ko'p. Ushbu silindrli tizim deklanşör vazifasini bajaradi. Har bir silindr eshik elektrodiga ulangan (eshik elektrod "a" rasmda an'anaviy ravishda ko'rsatilmagan).