Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari


Kanal orqali oqim deyarli nolga teng bo'lgan Uzi kuchlanishining qiymati uzapning kesilgan kuchlanishi deb ataladi



Download 194,64 Kb.
bet16/30
Sana04.07.2022
Hajmi194,64 Kb.
#738462
1   ...   12   13   14   15   16   17   18   19   ...   30
Bog'liq
Bipolyar tranzistorlar

Kanal orqali oqim deyarli nolga teng bo'lgan Uzi kuchlanishining qiymati uzapning kesilgan kuchlanishi deb ataladi.
Shunday qilib, p-n-birikma ko'rinishidagi eshikli dala effektli tranzistor qarshilik hisoblanadi, uning qiymati tashqi kuchlanish bilan tartibga solinadi.
Dala effektli tranzistor quyidagi I - V xarakteristikasi bilan tavsiflanadi:

Bu erda Ic drenaj oqimining Uzi darvozasidagi doimiy voltajdagi voltajga bog'liqligi dala effektli tranzistorning chiqishini yoki chiqishini aniqlaydi. Uxi + | Uzi | xarakteristikalarining dastlabki qismida< Uзап ток стока Iс возрастает с увеличением Uси . При повышении напряжения сток - исток до Uси = Uзап - |Uзи | происходит перекрытие канала и дальнейший рост тока Iс прекращается (участок насыщения). Отрицательное напряжение Uзи между затвором и истоком смещает момент перекрытия канала в сторону меньших значений напряжения Uси и тока стока Iс . Участок насыщения является рабочей областью выходных характеристик полевого транзистора. Дальнейшее увеличение напряжения Uси приводит к пробою р-n-перехода между затвором и каналом и выводит транзистор из строя.
I - V xarakteristikasi bo'yicha Is = f (Uzi), Uzap kuchlanishi ko'rsatilgan Uzi-0 bo'lgani uchun p-n birikmasi yopiq va eshik oqimi juda kichik, taxminan 10 ga teng -8 ... 10-9 A shuning uchun dala effektli tranzistorning asosiy afzalliklari bipolyar bilan taqqoslaganda yuqori kirish impedansini o'z ichiga oladi, taxminan 10 10 ... 1013 Ohm... Bundan tashqari, ular past shovqin va ishlab chiqarish qobiliyati bilan ajralib turadi.
Amaliy dastur ikkita asosiy ulanish sxemasiga ega. Rasmda ko'rsatilgan umumiy manba davri (A rasm) va umumiy drenaj davri (B rasm):

Izolyatsiya qilingan Gate Field Effect Transistorlar
(MIS tranzistorlari)


"MOS tranzistor" atamasi boshqaruvchi elektrod - eshik - dala effektli tranzistorning faol hududidan dielektrik qatlam - izolyator bilan ajratilgan maydon effektli tranzistorlarni belgilash uchun ishlatiladi. Ushbu tranzistorlar uchun asosiy element metall-dielektrik-yarimo'tkazgich (M-D-P) strukturadir.

Download 194,64 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   12   13   14   15   16   17   18   19   ...   30




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish