Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari


O'rta quvvatli bipolyar n-p-n tranzistorining kirish va chiqish xarakteristikalari rasmda ko'rsatilgan



Download 194,64 Kb.
bet13/30
Sana04.07.2022
Hajmi194,64 Kb.
#738462
1   ...   9   10   11   12   13   14   15   16   ...   30
Bog'liq
Bipolyar tranzistorlar

O'rta quvvatli bipolyar n-p-n tranzistorining kirish va chiqish xarakteristikalari rasmda ko'rsatilgan:
Rasmdan ko'rinib turibdiki, kirish xarakteristikasi deyarli Uke kuchlanishidan mustaqildir. Chiqish xarakteristikalari bir-biridan taxminan teng masofada joylashgan va Uke voltajining o'zgaruvchan qismida deyarli to'g'ri chiziqli.
Qaramlik Ib = f (Ube) - oldinga yo'naltirilgan p-n birikmaning oqimi uchun xos bo'lgan eksponensial bog'liqlik. Asosiy oqim rekombinatsiya bo'lgani uchun, uning Ib qiymati Ae ning emitent oqimidan β marta kam. Uc kollektor kuchlanishining oshishi bilan kirish xarakteristikasi Ub yuqori kuchlanish mintaqasiga o'tadi. Buning sababi, taglik kengligining modulyatsiyasi (Earley effekti) tufayli bipolyar tranzistor bazasida rekombinatsiya oqimining qismi kamayadi. Voltaj Ube 0,6 ... 0,8 V. dan oshmaydi. Ushbu qiymatdan oshib ketishi ochiq emitentli o'tish joyidan o'tadigan oqimning keskin o'sishiga olib keladi.
Ik = f (Uke) bog'liqligi shuni ko'rsatadiki, kollektor oqimi asosiy oqim bilan to'g'ridan-to'g'ri proportsionaldir: Ik = B Ib

Bipolyar tranzistor parametrlari

Transistorni kichik kutish rejimida to'rt kutupli tasvirlash


Kichik signalli ish rejimida tranzistor to'rt qutb bilan ifodalanishi mumkin. U1, u2 va i1, i2 oqimlari sinusoidal tarzda o'zgarganda, Z, Y, h parametrlari yordamida kuchlanish va toklar orasidagi bog'liqlik o'rnatiladi.

Potentsiallar 1 ", 2", 3 bir xil. Transistorni h-parametrlari yordamida tavsiflash qulay.
Umumiy emitrli zanjir bo'yicha ulangan tranzistorning elektr holati to'rtta qiymat bilan tavsiflanadi: Ib, Ube, Ic va Uke. Ushbu miqdorlarning ikkitasini mustaqil deb hisoblash mumkin, qolgan ikkitasini ular orqali ifodalash mumkin. Amaliy sabablarga ko'ra Ib va Uke miqdorlarini mustaqil miqdor sifatida tanlash qulay. Keyin Ube = f1 (Ib, Uke) va Ik = f2 (Ib, Uke).
Kuchaytiruvchi qurilmalarda kirish signallari kirish voltajlari va oqimlarining o'sishidir. Xarakteristikalarning chiziqli qismida tengliklar Ube va Ik o'sishlarida amal qiladi:


Download 194,64 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   9   10   11   12   13   14   15   16   ...   30




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish