Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

4.2 Bipolyar tranzistorlar uchun ulanish diagrammasi
Transistor elektr zanjiriga shu tarzda kiritilganki, uning terminallaridan biri (elektrod), ikkinchisi chiqadigan, uchinchisi esa kirish va chiqish davrlari uchun keng tarqalgan. Qaysi elektrod keng tarqalganiga qarab, uchta tranzistorli almashtirish sxemasi mavjud: OB, OE va OK. Pnp tipidagi tranzistor uchun ushbu sxemalar shakl. 4.3. Kommutatsiya zanjirlarida n-p-n tranzistor uchun faqat kuchlanishlarning kutuplulukları va oqim yo'nalishi o'zgaradi. Har qanday tranzistorli kommutatsiya davri bilan (faol rejimda) quvvat manbaini yoqishning polaritesini tanlash kerak, shunda emitent tutashuvi oldinga, kollektor tutashuvi esa teskari yo'nalishda yoqiladi.


4.3-rasm - Bipolyar tranzistorlarni yoqish sxemalari: a) ON; b) OE; c) yaxshi
4.3 Bipolyar tranzistorlarning statik xususiyatlari
Transistorning statik ishlash tartibi chiqish pallasida yuk bo'lmaganda rejim deb ataladi.
Transistorlarning statik xarakteristikalari kirish davri (kirish I - V xarakteristikasi) va chiqish davri (chiqish I - V xarakteristikasi) ning voltaji va oqimining bog'liqligini grafik jihatdan ifodalaydi. Xarakteristikalarning turi tranzistorni yoqish usuliga bog'liq.
4.3.1 OB davri bo'yicha ulangan tranzistorning xususiyatlari
Kirish xarakteristikasi bog'liqlik:
IE = f (UEB) UKB = const bilan (4.4-rasm, a).
Chiqish xarakteristikasi bog'liqlik:
IK = f (UKB) bilan IE = const (4.4-rasm, b).
4.4-rasm - OB davri bo'yicha ulangan bipolyar tranzistorning statik xususiyatlari
I - V chiqish xarakteristikalari uchta xarakterli mintaqaga ega: 1 - Ic ning UCB ga kuchli bog'liqligi (chiziqsiz boshlang'ich mintaqasi); 2 - Ic ning UCB ga zaif bog'liqligi (chiziqli mintaqa); 3 - kollektor o'tish joyining buzilishi.
Transistorlar bipolyar va maydon effektli tranzistorlarga bo'linadi. Ushbu turlarning har biri o'zining ishlash printsipiga va dizayniga ega, ammo ular yarimo'tkazgichli p-n tuzilmalari bilan umumiydir.