Bipolyar tranzistorlar. Bipolyar tranzistorli almashtirish sxemalari

Transistorlarning an'anaviy grafik belgilari (UGO) jadvalda keltirilgan:

Qurilma turi				Shartli grafik belgilash (HUGO)
Ikki qutbli	Bipolyar p-n-p turi
	Bipolyar n-p-n turi
Maydon	Menejer bilan p-n birikmasi	P tipidagi kanal bilan
		N-kanal bilan
	Izolyatsiya qilingan deklanşör MOS tranzistorlari	O'rnatilgan bilan kanal	Ichki kanal p-turi
			Ichki kanal n-turi
		Induktsiya bilan kanal	Induktsiya qilingan kanal p-turi
			Induktsiya qilingan kanal n-turi

Bipolyar tranzistorlar

"Bipolyar" ta'rifi shuni ko'rsatadiki, tranzistorning ishlashi ikki turdagi zaryad tashuvchilar - elektronlar va teshiklar ishtirok etadigan jarayonlar bilan bog'liq.
Transistor - bu elektr signallarini kuchaytirish va hosil qilish uchun mo'ljallangan ikkita elektron teshikli birikmalarga ega yarimo'tkazgichli qurilma. Transistorda ikkala turdagi tashuvchilar ishlatiladi - asosiy va asosiy bo'lmagan, shuning uchun u bipolyar deb nomlanadi.
Bipolyar tranzistor monokristalli yarimo'tkazgichning har xil o'tkazuvchanlik turlariga ega bo'lgan uchta mintaqasidan iborat: emitent, tayanch va kollektor.

• 
  Elektron emitent,
  
• 
  B - taglik,
  
• 
  K - kollektor,
  
• 
  EP - emitent birikmasi,
  
• 
  KP - kollektor birikmasi,
  
• 
  V - taglik qalinligi.
  

Transistorning har bir o'tishi oldinga yoki teskari yo'nalishda yoqilishi mumkin. Bunga qarab tranzistorning uchta ishlash tartibi ajratiladi:

1. 
   Chiqib ketish rejimi - ikkala p-n birikmasi yopiq, nisbatan kichik oqim odatda tranzistor orqali o'tadi
   
2. 
   Doygunlik rejimi - ikkala pn birikmasi ochiq
   
3. 
   Faol rejim - p-n birikmalaridan biri ochiq, ikkinchisi yopiq
   

Kesish rejimida va to'yinganlik rejimida tranzistorni boshqarish mumkin emas. Transistorni samarali boshqarish faqat faol rejimda amalga oshiriladi. Ushbu rejim asosiy hisoblanadi. Agar emitent o'tish joyidagi kuchlanish to'g'ridan-to'g'ri bo'lsa va kollektor o'tish joyida u teskari bo'lsa, u holda tranzistorning yoqilishi normal, qarama-qarshi qutblanish bilan teskari hisoblanadi.
Oddiy rejimda kollektor pn birikmasi yopiq, emitent birikmasi ochiq. Kollektor oqimi asosiy oqim bilan mutanosib.
N-p-n tipidagi tranzistorda zaryad tashuvchilarning harakati rasmda ko'rsatilgan Emitent quvvat manbaining salbiy terminaliga ulanganda Ie emitent oqimi paydo bo'ladi. Tashqi kuchlanish oldinga yo'nalishda emitent birikmasiga qo'llanilganligi sababli, elektronlar birikmani engib, tayanch mintaqasiga kiradi. Baza p-yarim o'tkazgichdan tayyorlangan, shuning uchun elektronlar uning uchun ozchilik zaryad tashuvchisi hisoblanadi.
Bazis mintaqasida ushlanib qolgan elektronlar qisman tayanch teshiklari bilan birlashadi. Shu bilan birga, taglik odatda rezistentligi yuqori bo'lgan (past nopoklik darajasi) p-o'tkazgichdan juda yupqalashtiriladi, shuning uchun bazadagi teshiklarning konsentratsiyasi past bo'ladi va bazaga kiradigan bir nechta elektronlar o'zlarining teshiklari bilan qayta birlashib, bazani hosil qiladi. hozirgi Ib. Elektronlarning katta qismi issiqlik harakati (diffuziya) tufayli va kollektor maydonining ta'sirida (drift) kollektorga etib boradi va Ic kollektor oqimining tarkibiy qismini tashkil qiladi.