Aksiyadorlik jamiyati toshkent temir yo‘l muhandislari instituti «Temir yo’l transportida axborot tizimlari» kafedrasi “Raqamli texnika va mikroprotsessorlar”

MAYDON TRANZISTORLAR. MAYDON TRANZISTORLARNING ASOSIY SXEMALARI

REJA

5.1.Maiydonli tranzistorlar,asosiy tushuchalari

5.2. Maiydonli tranzistorlarning asosiy sxemalari
Tayanch suz va iboralar: n-p-n - o’tishlar,elektronlar,emmiter, kollektor, baza,transistor, umumiy emitterli sxema, umumiy kollektorli sxema, umumiy bazali sxema, maydon, istok, stok, zatvor.
Tok bilan boshqariladigan, qo‘sh qutbli tranzistorlardan farqli maydon tranzistorlari kuchlanish bilan boshqariladi. MOSFET (MOS Field Effect Transistor). Maydon tranzistorlarini kirish qarshiligi juda katta.

 Maydon tranzistorlarini ikki turga bo’lish mumkin:

MDYa-tranzistorlari (yoki MOY) va p – n - o‘tish bilan boshqariladigan maydon tranzistorlari.

5.1 – rasm.Maydonli tranzistorlar

MDY harflar birikmasi bumetal-dielektrik yarim o‘tkazgich, MOYesa – metal-oksid yarim o‘tkazgich. Ikkala holda ham harflar birikmasi maydon MDY-tranzistori konstruksiyasi bilan tushuntiriladi, unda yarim o’tkazgichishlatiladi, yarim o’tkazgich sirtiga dielektrik yoki kremniy oksidi (bu ham dielektrik) qo’yiladi, dielektrik sirtida esa, zatvor deb nomlangan, metal elektrod joylashadi(5.2-rasm).

5.2 – rasm. Maydonli tranzistor strukturasi

5.3 – rasm. Maydonli tranzistor sxemasi

5.4 – rasm. Maydonli tranzistor strukturasi, sxemasi va ishlash grafiki

Istok – zaryadlarni zatvor ostidan stokga o’tqizadigan zaryad tashuvchilarni vujudga keltiradigan elektrod.

Stok – bu zaryadlar tushadigan qabul qiluvchi elektrod.Podlojkani ya’ni qo’shimcha to’rtinchi elektrodni hosil qiladigan, n yoki p turdagi yarim o’tkazgichda maydon tranzistori yaratiladi.Podlojka odatda istok bilan bog’lanadi.

MDY tranzistorini ishlash prinsipini ko’rib chiqamiz, konstruktsiyasi 9.40a–rasmda berilgan, shartli belgilari va kuchaytirish kaskadi sifatida qo’shilishi 9.40b –rasmda berilgan.

p-turdagi yarim o’tkazgichda n-turdagi yarim o’tkazgichni, istok va stok yaratadigan baland konsentratsiyali erkin elektronlari bilan, ikkita maydoni yaratilgan. Agar, rasmda ko’rsatilganidek, nol kuchlanishda dielektrik ostida, istokga nisbatan zatvorda p-turdagi yarim o’tkazgich bo’lsa, unda stok va istok orasida ikkita yuzma yuz yoqilgan p-n-o’tish paydo bo’ladi, bu holda stok va istok orasida o’tkazuvchanlik bo’lmaydi.

Zatvorga istokga nisbatan musbat kuchlanish berilsa yuzasi yaqinida erkin elektronlarning konsentratsiyasi oshadi bu Uпор (5.4 - rasm) o’lchamli kuchlanish oshganida zatvorda o’tkazuvchanligi n-turdagi bo’lgan kanalni yaratilishiga olib keladi.

Ya’ni stok va istok orasida elektron o’tkazuvchanli kanal paydo bo’ladi. Kanal paydo bo’lishi rasmada punktir bilan ko’rsatilgan. Kuchlanish oshganida kanal o’tkazuvchanligi kengayadi, o’tkazuvchanlik oshadi. Aytilgan turdagi tranzistor induksion kanalli MDY-tranzistori deyiladi. Uning sxemalardagi shartli belgisi 9.40б-rasmda ko’rsatilgan.

5.5 – rasm.Maydon tranzistorlar ona platada

5.6 – rasm.Qaytaruvchi mantiqiy element

Boshqaruvchi p-n- o’tishli, umumiy stokli maydon tranzistorini ulanish sxemasi.

Amaliyotda ko’pincha UI sxemalardan va analogik sxemalarda umumiy emiterli (UE) bipolyar tranzistorlardan foydalaniladi.

Umumiy istokli kaskad tokning va quvvatning juda katta kuchayishini beradi. UZ sxema umumiy bazali (UB) sxemaga analogik. U tok kuchayishini bermaydi, shuning uchun undagi quvvatning kuchayishi UI sxemaga qaraganda ancha marotaba kam . UZning kaskadi kichik kirish qarshiligiga ega, shuning uchun u kuchaytirish texnikasida chegaralangan amaliy qo’llanishga ega.