Академия наук республики узбекистан

Table 2. Chemical composition and cross
-
sectional view of the multilayer stack 
 
EDS-
Measuring on Cross
-
Section of Sample, 25kV 
ZrO
2
-Al
2
O
3
-Al-
Si
-Ni 
Atom-%
 
 
EDX-
Points 
№ 
Al 
Ti 
Cr 
Fe 
Co
 
Ni 
Mo 
Si 
O
 
Zr 
∑ 
 
 
1 3,49 
 
0,00 
0,00 
-
 
0,13 
-
 
6,52 59,86 30,0 
 
2 47,80 
-
 
0,08 
0,07 
-
 
0,18 
-
 
1,22 48,52 2,12 100,0 
3 52,25 
-
 
0,03 
0,13 
-
 
0,12 
-
 
1,78 45,33 0,37 100,0 
4 14,33 
-
 
-
 
-
 
-
 
0,26 
-
 
68,29 17,11 
-
 
100,0 
5 67,10 0,05 
8,07 
0,52 
5,29 17,28 1,69 
-
 
-
 
-
 
100,0 
6 2,17 
0,37 25,97 1,21 11,48 53,65 5,15 
-
 
-
 
-
 
100,0 
127 

---

A method of ion-stimulated electron-beam physical deposition of vapors was used 
to produce the compositions of Ti
-Al and 
Si
-Al coatings. 
The multi
-layer structures with the preset features were grown with the 
controlled parameters of the process such as substrate temperature, ion energy and 
ion flow density (T
able 2
).
As a result of mutual diffusion of Ni
, Ti, Al, Si
, improved adhesion of an 
intermediate layer (adapting material) with nickel
-based substrates is used at the 
boundaries.
The possibility of producing multi
-layer coatings of metal-ceramic by ion-
stimulated method in a one-step cycle was confirmed.
The upper ceramic layers ZrO
2
/
AlO
2 
deposited in the same equipment 
showed the excellent compatibility with the intermediate layers and demonstrated 
the necessary parameters for thermal barrier coatings. 
This fact enables the 
creation of thermal barrier coatings based on the widespread materials by ion-
stimulated growth. 
CONCLUSION 
On the basis of the research on a doctoral thesis on «
A monosilane 
technology of polysilicon production and ion-stimulated metohods for creation of 
silicon structures
» provided the following conclusions:
1.
Developed a monosilane technology of polycrystalline silicon 
production, based on the alkoxysilanes synthesis by the direct reaction 
of 
metallurgical 
silicon and alcohol, and created an experimental process equipment 
for its implementation. 
2.
For the first time held a silicon milling process to the size from 30 to 
100 microns in the liquid medium used subsequently as solvent in the 
alkoxysilanes synthesis, that protects the new sur
faces of the silicon particles from 
exposure to oxygen and moisture, as a result excluded the induction period of the 
direct reaction of metallurgical 
silicon and alcohol, and excludes flow of side 
reactions under the influence of water. 
3.
A method for dosed 
supply of suspension, which is consisting of