Академия наук республики узбекистан

 ДИССЕРТАЦИЯ В ВИДЕ НАУЧНОГО ДОКЛАДА 
Во введении
обосновывается актуальность и востребованность
проведенного исследования, цель и задачи
исследования, характеризуются 
объект и предмет, показано соответствие исследования приоритетным 
направлениям развития науки и технологий республики, излагаются научная 
новизна и практические результаты исследования, раскрываются научная и 
практическая значимость полученных результатов, внедрение
в практику 
результатов исследования, сведения по опубликованным работам. 
1.
 
Моносилановая технология получения поликристаллического 
кремния
 
Производство
поликристаллического кремния из моносилана
является 
перспективным
способом. Моносилан в обычных условиях является газом с 
температурой кипения 
-112
о
С. При температурах 700
О
С и выше моносилан 
интенсивно разлагается на кремний и водород, что является основой для 
получения высокочистого кремния.
Моносилановая технология
по сравнению с традиционной 
трихлорсилановой имеет ряд преимуществ: низкая температура разложения 
моносилана и меньший расход энергии; в продуктах реакции отсутствуют 
химически агрессивные агенты, снижающие чистоту получаемого кремния;
значительное различие физических и химических свойств моносилана и 
других соединений позволяет более эффективно проводить очистку 
моносилана от большинства вредных примесей; кроме того сам моносилан и 
его смеси является товарным продуктом, необходимым для
изготовления 
полупроводниковых изделий, в том числе для выпуска солнечных батарей из 
аморфного кремния. Однако и эта технология имеет свои недостатки. 
Традиционные способы производства
моносилана достаточно сложны, что 
обуславливает высокую стоимость моносилана высокой степени чистоты для 
полупроводниковой 
промышленности. 
Алкоксисилановый 
процесс 
получения моносилана является одним из перспективных способов, которые 
призваны заменить традиционные трихлорсилановые технологии 
производства поликристаллического кремния.
1.1. 
Технология синтеза алкоксисиланов
 
Прямая реакция металлургического кремния и этилового спирта идет 
по следующей схеме:
Si + (4 - n)C
2
H
5
OH
→
nSiH(OC
2
H
5
)
3
 + (1-n) Si(OC
2
H
5
)
4
 + (2-n) H
2
(1.1) 
где 
n
принимает значения от 0 до 1. Причем максимальная селективность 
реакции по триэтоксисилану 
SiH(OC
2
H
5
)
3
достигается
при 
n = 1,
и уравнение 
(1.1) 
при этом
 
примет вид:
59 

---

Si + 3C
2
H
5
OH → SiH(OC
2
H
5
)
3
 + H
2
(1.2) 
Уравнения (1.1.) и (1.2) справедливы также для других спиртов,
при 
замене C
2
H
5
на соответствующий радикал 
R
, например, замена 
C
2
H
5
на 
CH
3
 
приводит к уравнениям: 
Si + (4 - n)CH
3
OH → nSiH(OCH
3
)
3