11- laboratoriya ishi umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt- amper xarakteristikalarini tadqiq etish Ishdan

11- LABORATORIYA ISHI

Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt- amper xarakteristikalarini tadqiq etish

Ishdan maqsad: Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlaming asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.

^{Variant N:25. Bipolyar tranzistor: 2N3859A; R}1^{=21 kOm; U}KE^=10V.




2N3859A Bipolyar tranzistorining texnik xarakteristikalari:

Parametrlar	Qiymatlari
Strukturasi	n-p-n
Material turi	Si
Maksimal belgilangan Kollektor-Emitter kuchlanishi	80V
Maksimal belgilangan Kollektor-Baza kuchlanishi	120 V
Maksimal belgilangan doimiy Kollektor toki	0.25 A
Kollektor quvvatining tarqalishi	0.31 Wt
Tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsenti (hfe)	60
Tokni uzatish belgilangan chastotasi	60MHz
p-n o‘tishda ishlash harorati (Tj)	135 ° C
Kollektor o‘tish sig‘imi (Cc)	12pF
Korpusi	TO-92

1-qism. Kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini o‘lchash:


1- rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinspial sxemasi

Uke=0V	Ie mkA	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	Ueb V	0	0,52 2	0,53 4	0,54 8	0,56 3	0,57 7	0,59 1	0,60 6	0,62	0,63 4	0,648 4
Uke=10 V	Ie mkA	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	Ueb V	0	0,70 1	0,72 2	0,74 3	0,76 4	0,78 5	0,80 6	0,82 7	0,84 8	0,86 9	0,89

2 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi:

I=25mkA	Ik (mA )	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	Ukb (V)	0	3,89 7	3,95 9	4,01 6	4,07 9	4,19 6	4,32 8	4,44 5	4,57 5	4,69 2	4,81 8
	Ik
I=150mk A	(mA )	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	Ukb	0	16,2	16,5	16,7	17,0	17,5	18,0	18,5	19,0	19,6	20,1
	(V)		7		8	1	6	7	8	9		5
	Ik
I=200mk A	(mA )	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	Ukb	0	19,7	20,1	20,4	20,7	21,4	22	22,6	23,2	23,8	24,5
	(V)		9	1	3	7	1		5	9	9	4

2. 
   Olingan natijalarga ishlov berish:
   

Ib , mkA



Ik, mkA
Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) IB=f(UBE) bunda UKE=0 va 10 V.

Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) IK=f(UKE) bunda IB=25;150 va 200mkA.

2. 
   h parametrlarni hisoblash: 1. h11E parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:
   

2. 
   h12E parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash:
   

2. 
   h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:
   

2. 
   h22B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash
   

Xulosa.

Biz navbatdagi laboratoriya ishida umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish o’rgandik.Laboratoriyani bajarish davomida kirish xarakteristikasi oilasi va chiqish xarakteristikasi oilasi qiymatlarini hisobladik.Kirish xarakteristikasi oilasi va chiqish xarakteristikasi oilasi qiymatlarini hisoblashda kollektor va emitter toklarini kamaytirib bordik.Natijada kollektor va emitterdagi kuchlanishlar mos Ravishda kamayib bordi.