10 маъруза : Анизотип гетероўтишларда фотоэффект. Поликристалл яримўтказгичларда фотоэлектрик ҳодисалар

R
эφ
орқа-
ли аникланади. Энг содда ҳолларда рекомбинация тезлиги Шокли-Рид фор-
муласи орқали ифодаланади. 
Кўп анизотип (pGe-nGaAs, nGe-pGaAs, nGe-pSi) гетероўтишларнинг 
ВАХлари тўғри тармоғини тажрибавий тек шири ш натижалари 
lnI = f(v)
боғланишда қиялик бурчаги ҳар хил бўлган икки ѐки учдан ортиқ тўғри 
чизикли соҳалар борлигини кўрсатади. Кичик кучланишлар соҳасида (9.2- 
расм) ВАХда 
lnI = f(v)
нинг қиялигининг температурага боғлиқ равишда 
ўзгаришини, яъни оғиш бурчаги тангенсининг температурага тескари про-
порционал равишда камайишини токнинг рекомбинацион ташкил этув-
чисининг устунлиги билан тушунтириш мумкин. Катта кучланишлар 
соҳасида ҳар хил температуралар учун олинган BAX нинг тўғри чизиғий 
соҳасида қиялик температурага боғлиқ эмас. BAX 
( 
lnI = f(v)
) да кузатилган 
икки ѐки ундан ортиқ тўғри чизикли қисмлар ток оқишининг бир механиз-
мидан иккинчисига ўтиши туфайли пайдо бўлади. Бу тажриба натижаларини, 
тақиқланган зонаси кенг бўлган яримўтказгичдан (GaAs, Si) заряд ташувчи-
лар камбағаллашган ҳажмий заряд соҳасига инжекция билан ўтади ва улар 
тор зонали яримўтказгичдан туннел орқали ўтган заряд ташувчилар билан 
рекомбинациялашади, деган фараз билан тушунтириш мумкин.
9.2-расм.
Кескин анизотипли гетероўтишнинг 
(а)
ва изотипли 
п

 п
 
гетероўтишнинг 
(б)
вольт-ампер характеристикалари. 
Бу моделда рекомбинация ва туннел токлари ўтишнинг чегара қисмидан 
кетма-кет оқади, рекомбинация токи кучланиш кўпайиши билан туннел токи-
га қараганда тезроқ ортади, юқори кучланишларда тўла ток туннел жараѐнла-

---

ри билан чекланади (чегараланади). Гетероўтишларда BAXнинг тескари тар-
моғида кучланиш токининг кескин ошиши кўчкили тешилиш жараѐнла-
рининг авж олиши билан тушунтирилади.