10 маъруза : Анизотип гетероўтишларда фотоэффект. Поликристалл яримўтказгичларда фотоэлектрик ҳодисалар

Φ
g
b
 
потенциал тўсиқ ҳосил бўлади (9.4-
расм).

 
9.4-расм.
Кристаллчалар чегарасидаги уч хил потенциал тўсиқ. 
Одатда камбагаллашган қатлам хусусий ўтказувчанликли (легирланмаган) 
зарралар чегарасида шаклланади. Хусусий бўлмаган ўтказувчанликли 
(легирланган) доналар чегарасида эса, одатда, бойиган қатлам ҳосил бўлади. 
Доналар чегарасида потенциал тўсиқлар мавжуд бўлиши тажрибада 
исботланган. 
Поликристалл 
яримўтказгич 
қатламлар 
фотоўтказувчанлигини 
тушунтириш учун учта назария ишлаб чиқилган; уларнинг бири — 
концентрация ўзгаришига (модуляцияланишига), иккинчиси — тўсиклар 
ўзгаришига асосланган бўлиб, учинчиси умумлашган назариядир. 
Биринчи ҳолда фотоўтказувчанлик ѐруғлик ютилганда заряд ташувчилар 
концентрациясининг ортиши асосида тушунтирилади. Иккинчи ҳолда ѐруғ-
лик ютилганда пардани ташкил этувчи кристаллчалар орасидаги тўсиқлар 
пасайиши фотоўтказувчанликка асосий ҳисса қўшади, деб тушунтирилади. 
Пардани ҳосил қилган ҳар бир 
п
-
типли кристаллчада уни ўраб олган 
р
-
соҳа 
ѐки Шоттки тўсиғи мавжуд бўлади, демак, бутун парда катта сонли кетма-кет 
уланган 
р-п-
ўтишлар ѐки Шоттки диоддаридан иборатдир. Бу ўтишлар 
асосида фототок билан кучланиш орасидаги боғланишни тушунтириш 
мумкин. 
Поликристалл 
яримўтказгич 
катламлари 
фотоўтказувчанлигининг 
умумлашган назарияси кўп кристаллчалар хоссаларини ўртачалашга 
асосланган. Масалан парданинг 1 см
2
юзига 10
4
гача микрокристаллар тўғри 
келиши мумкин. Шунинг учун парданинг қаршилиги тўсиқлар ва 
кристаллчалар қаршиликлари йиғиндисидан иборат деб қаралади. Бу 
назарияда ѐритишда ўтказувчанлик ўзгаришини эркин заряд ташувчилар 

---

концентрациясининг ўзгариши орқали ва эффектив ҳаракатчанликнинг тўсик 
баландлиги ўзгариши туфайли ўзгариши орқали тушунтирилади.