Ў з б е к и с т о н р е с п у б л и к а с и Олий ва Ўрта махсус таълим вазирлиги Абу Райҳон Беруний номидаги

Эпитаксия жараёнининг 3 тури маълум:
1. Автоэпитаксия – тагликда унинг таркиби ва кристалл тузилиши билан бир хил бўлган модданинг ўстирилиши бўлиб, улар бир-биридан киришмаларнинг концентрацияси билангина фарқ қилади. Масалан, кремнийнинг юзасида кремний ўстириш.
2. Гетероэпитаксия – монокристалл таглик юзасида унинг таркибидан бошқа бўлган монокристалл плёнканинг ўстирилиши. Масалан, Si юзасида GaAs ўстириш.

2. 
   Хемоэпитаксия - таглик моддасидан фарқ қиладиган моддани ориентирланган ўстириш жараёни бўлиб, ҳосил бўлаётган янги фаза тагликнинг моддаси билан ташқаридан келаётган модданинг кимёвий таъсирланиши натижасида ҳосил бўлади. Бунинг натижасида ҳосил бўлган хемоэпитаксиал қатлам таркиби жиҳатдан таглик моддасидан ва ўтказилаётган моддадан фарқ қилади.
   

Ўсаётган қатламнинг ҳосил бўлиш жараёнида кечадиган физик-кимё-вий ҳодисаларнинг табиатига қараб эпитаксиянинг 3 та технологик усули мавжуд:
1. Вакуумда молекуляр оқимлар ёрдамида ўстириладиган молекуляр нурли эпитаксия.
2. Газ ёки буғ-газ аралашмали моддаларнинг кимёвий таъсири ёрдамида олинадиган газ фазали эпитаксия.

3. 
   Суюқ фазадаги ёки қоришма-эритмалардан рекристаллизация йўли билан олинадиган суюқ фазали эпитаксия.
   

1.3. Тагликларни тайёрлаш

Плёнкалар маълум бир тагликлар юзасида ўстирилганлиги учун унинг мукаммаллиги (тозалиги, силлиқлиги, таркиби бир хиллиги, монокристаллик даражаси ва б.) тагликнинг сифатига боғлиқ бўлади. Шунинг учун тагликларни юқори сифатда тайёрлашга алоҳида аҳамият берилади.

Ярим ўтказгичли пластиналарни тайёрлашнинг технологик маршрутлари тайёрланадиган микросхемаларнинг, қўлланилаётган ярим ўтказгич хоссаларининг ҳар хиллиги туфайли бир-биридан фарқ қилиши мумкин. 1.1-расмда кремний пластинасини тайёрлашнинг умумий маршрути келтирилган.
Келтирилган маршрутдаги операцияларни санаб, бир нечтасининг вазифасини кўрсатиб ўтамиз:
Қуймани емириш унинг сиртини тозалаш ва нуқсонларни аниқлаш учун ўтказилади.
Калибровка қуймага стандарт пластина диаметрига тенг бўлган цилиндр шаклини бериш учун бажарилади.
Ундан кейинги қуймани емириш калибровка жараёнида кристалл структурасининг бузилган қатламини олиб ташлаш учун ўтказилади.
Қуйма қиррасини ориентациялаш қуйма қирра текислигининг бош кристаллографик текисликдан ориентация бузилишини (оғиш бурчагини) аниқлаш учун ўтказилади. Мана шунга асосан қуймани пластиналарга кесишдан олдин у кесувчи асбобга нисбатан оғиш бурчагини ҳисобга олган ҳолда станокка маҳкамланади.