Ў з б е к и с т о н р е с п у б л и к а с и Олий ва Ўрта махсус таълим вазирлиги Абу Райҳон Беруний номидаги

Кремнийни юқори вакуум шароитида МНЭ усули билан ўстириш

Бу усул замонавий микроэлектрониканинг ривожланиши ва наноэлектрониканинг қарор топишида энг асосий усул бўлиб хизмат қилмоқда. Бу усулда ўта юқори вакуум шароитида кремний атомлари буғлаттиргичдан учиб чиқиб, кремний пластинкасининг юзасига тушади. Асос-кремний пластинкаси 900-950К ҳароратда ушлаб турилади. Вақт ва ўзгариш тезлигига боғлиқ равишда керакли қалинликдаги эпитаксиал плёнка олинади.

5.2. Кремний эпитаксиал қатламларида кристаллографик нуқсонлар

Кремнийнинг эпитаксиал қатламларини ҳар хил монокристалларнинг юзасида ҳосил қилиш мумкин. Кремнийнинг панжараси куб шаклида бўлгани учун асоснинг панжараси ҳам куб бўлиши керак. Бундай куб панжарага эга бўлган материаллар қуйидагилар: Si, CaF₂, CoSi₂, GaAs ва бошқалар.

Агар кремний плёнкаси кремний юзасида ҳосил қилинса, автоэпитаксия дейилади, яъни бунда гомоген система ҳосил бўлади.
Кремнийнинг эпитаксиал плёнкаси бошқа материалнинг (CaF₂, GaAs) юзасида ҳосил қилинса, гетероэпитаксиал плёнка дейилади.
Кремний плёнкасини ёки умуман ҳар қандай эпитаксиал плёнкаларни олганда унда нуқсонлар камроқ ҳосил бўлишида қуйидаги омиллар асосий роль ўйнайди:

1. 
   жуда юқори вакуумда ўстириш,
   
2. 
   асоснинг юқори даражада силлиқланганлиги ва тозалиги,
   
3. 
   атомлар манбаининг тозалиги.
   

Агар вакуум юқори бўлмаса, камерада мавжуд бўлган газ атомлари кремний билан бирга ўтириб (SiC, SiО₂, SiS), кремнийникидан фарқ қиладиган марказлар ҳосил қилиши мумкин. Худди шу каби нуқсонлар кремний манбаи тоза бўлмаса ҳам пайдо бўлиши мумкин.
Асоснинг юқори даражада силлиқ ва тоза бўлишидан ташқари унга яна қуйидаги талаблар қўйилади:
- кристалл тузилишининг мослиги, панжара катталикларининг яқинлиги;
- юзада нотекисликларнинг йўқлиги, яъни юзада кристалл панжара бузилиши йўқ бўлиши;
- ҳарорат кенгайиш коэффициентлари деярли бир хил ёки жуда яқин бўлиши керак.
Демак, юқоридаги шартларнинг бажарилиши нуқсонларни имкони борича камайтиришга ёрдам беради. Умуман, эпитаксиал плёнкаларда қуйидаги турдаги нуқсонлар мавжуд бўлиши мумкин:
а) жойлашишга боғлиқ бўлган нуқсонлар,
б) иккиланишларнинг пайдо бўлиши,
в) оролчаларнинг чегаралари қўшилганда ҳосил бўладиган кичик бурчакларнинг пайдо бўлиши,
г) нуқтавий нуқсонларнинг тўпланиши,
д) дислокациялар.