Ў з б е к и с т о н р е с п у б л и к а с и Олий ва Ўрта махсус таълим вазирлиги Абу Райҳон Беруний номидаги

5.3. Кремний монокристали юзасида CoSi₂ ни эпитаксиал ўстириш

Ҳозирги пайтда катта ва ўтакатта интеграл схемалар олишда металл базали транзисторларнинг янги турларини яратиш алоҳида аҳамиятга эга. Аммо куб панжарали ва параметри кремнийникига яқин бўлган металл плёнкаларни амалда ҳосил қилиш мумкин эмас. Шунинг учун ҳам хусусиятлари металлникига яқин бўлган силицидларни (кремнийнинг бирон бир металл билан бирикмасини) ишлатиш мақсадга мувофиқдир. Бундай силицидлар 2та: NiSi₂ ва CoSi₂ .

Аммо CoSi₂ панжара доимийси кремнийникига жуда яқин бўлгани учун металл базали транзисторларда уни ишлатиш қулайроқ бўлади. Шундай қилиб, металл базали транзисторларда Si - CoSi₂ - Si тизими ишлатилиши мумкин. Si ва CoSi₂ ларнинг физик параметрлари ва кристаллографик параметрлари 5.1 - жадвалда келтирилган.

CoSi₂ ни МНÝ ва ҚФÝ усуллаðи билан олишни þқоðидаги паðагðафлаðда кўðиб чиққанмиз.
CoSi₂ плёнкасининг физик хусусиятлари плёнканинг қалинлигига кичик қалинликларда боғлиқ бўлади, чунки кичик қалинликларда плёнканинг хусусиятларига асоснинг таъсири катта бўлади. Масалан, 5.3-расмда солиштирма қаршиликнинг плёнка қалинлигига боғлиқлиги келтирилган.


5.1-жадвал
Si ва CoSi₂ учун кристалл панжара параметрлари

Кристалл, плёнка	Панжара тури	Панжара доимийси, Е	, мкОмсм
CoSi2 Si	кубик кубик	5,38 5,43	20-50 ≥ 10^6

Демак, плёнка қалинлиги 400-500 Е дан катта бўлганда унга асоснинг таъсири деярли сезилмайди.
Плёнка мукаммаллиги (бир жинслилиги, силлиқлиги, кристалл панжарада нуқсонларнинг камлиги) ўстириш ҳароратига жуда хам боғлиқ бўлади. 5.4-расмда солиштирма қаршиликнинг ҳароратга боғлиқлик графиги келтирилган. Илмий тадқиқотларнинг кўрсатишича, солиштирма қаршилик энг кичик бўлганида плёнка эпитаксиал ва энг мукаммал бўлар экан. 300-350⁰С гача ҳосил қилинган плёнка аморф бўлади; 450-500⁰С да поликристалл бўлади; 500-600⁰С оралигида монокристалл бўлади-ю, аммо ориентацияси бир хил бўлмайди (текстура) ва унда ҳар хил нуқсонлар кўп бўлади; 600-700⁰С да плёнка монокристалл ва нуқсонлари энг кам ҳолда бўлади; 700-750⁰С дан кейин асосдан кремний атомлари плёнка таркибига кириб боради ва стехиометрик тартиб бузилади, бу эса қаршиликнинг ортишига олиб келади; 800-900⁰С ва ундан катта ҳароратларда плёнкалар оролча-оролча бўлиб ажралиб кетади; кейинги қиздиришлар CoSi₂ нинг парчаланиб кетишини ва юзадан Co ҳамда Si атомлар ҳолида учиб чиқишини вужудга келтиради.

5.3-расм. CoSi₂ / Si тизими учун солиштирма қаршиликнинг плёнка қалинлигига боғлиқлиги





5.4-расм. МНЭ усули билан ўстирилган
CoSi₂/Si<100> плёнкаси солиштирма қаршилигининг ҳароратга боғлиқлиги