Капилляр модель
Буғ фазасидан гетероген равишда марказлар ҳосил бўлишининг бир неча таърифлари мавжуд. Хирс ва Паунд монографияси, Зигзби ва Паунднинг кейинги мақолалари бу жараёнларга бағишланган.
4.1 – расм. Юқори вакуум шароитида ўстирилган олтин плёнкасининг ёритилган (чапда) ва ёритилмаган (ўнгда) ҳолатлардаги тузилиши: а-24 Е;
б-108 Е; в-300 Е
Асоснинг таъсири мавжудлигини ҳисобга олиш учун Фальмер ва Вебер, Беккер ва Дёринг томонидан яратилган буғ фазасидан гомоген равишда марказлар ҳосил бўлиш классик капилляр моделини бироз ўзгартиришга зарурият туғилади. Бу модель тўйинган буғдан конденсирланган фаза ҳосил бўлиши учун (конденсирланган фазанинг турғун оролчалари) активацион тўсиқни енга оладиган (баъзан у «марказ ҳосил бўлиш тўсиғи» деб аталади) эркин энергиянинг мусбат флуктуациялари зарур деган фикрга асосланган. Бундай тўсиқ мавжудлиги сабабли конденсация рўй бериши учун тўйинишнинг қиймати бирдан катта бўлиши керак.
1) Критик марказ. Капилляр моделга асосан марказ ҳосил бўлиш пайтида эркин энергиянинг ўзгариши максимумга эга бўлади, яъни марказ ўсиб, “критик” ўлчамдан ўтишида унинг турғунлиги буғ фазасига диссоциацияланишга нисбатан минимумига эга. Эркин энергиянинг максимуми икки параметрнинг рақобати натижасида вужудга келади: а) кичик марказларда юзанинг ҳажмга нисбатининг жуда катталиги туфайли уларнинг турғунлиги камаяди б)марказлар ўлчамлари катталашган сари конденсацияланиш энергияси кўпаяди ва натижада марказларнинг турғунлиги ошади.
Бундай марказнинг критик радиуси r* ни хисоблаш учун биз буғ фазаси билан чегараланувчи сирт юзини а1r2 га марказнинг асос билан контакт юзини – а2r2 га ва ҳажм –а3r3 га тенг деб фараз қиламиз, бу ерда а- константа, r-марказнинг ўртача чизиқли ўлчами. Марказ ҳосил бўлиш эркин энергиясининг ўзгариши (ΔG) унинг буғ фазасига диссоциацияланишидаги эркин энергиясига нисбатан ўзгариши марказ ўлчамига боғлиқ равишда қуйидаги формула билан ифодаланади:
ΔG =а3r3 ΔGv +а1r2 σv-c +а2r2 σs-с-а2r2 σs-v . (4.4)
Бу ерда ΔGv(<0) – айни тўйиниш шароитида берилган материалнинг массив кристаллдаги эркин энергиясининг ўзгариши; у эрг/ см3 ларда ифодаланади ва қуйидаги формула билан ҳисобланади:
ΔGv= (kT/V) ln[R/Re( b)] (4.5)
σv-c(>0) ва σs-c(<>0) – мос ҳолда, марказдаги конденсат –буғ ва конденсат – асос чегаралари юзаларининг эркин энергиялари, σs-v –асоснинг юза энергияси; бу катталикларнинг ҳаммаси эрг/ см3 да ифодаланган. V- плёнка материали битта молекуласининг ҳажми. a2r2 σs-v ифода катталиги а2r2 га тенг бўлган асоснинг эркин сирт юзаси марказ ҳосил бўлишида йўқолиб кетганлиги учун (4.4) тенгламага киради. Марказ ўлчами бўйича (4.4) тенгламани дифференциаллаб қуйидагини оламиз:
δΔG/Δr=3а3r2ΔGv +2а1r δv-c+2а2r δS-c-2а2rδS-v (4.6)
Бунда, марказнинг шакли унинг ўлчами ўзгариши билан ўзгармайди ва ΔGv , δv-c ва δs-c марказ ўлчамига боғлиқ эмас.
Марказнинг эркин энергияси у критик ўлчамга эга бўлганда максимал бўлади, яьни
r* =[-2 (а1 δv-c + а2δS-c - а2δS-v]/3a3ΔGv (4.7)
бўлади. Бу ўлчамга мос келувчи эркин энергия.
ΔG*=[4(а1 δv-c+а2 δS-c- а2δS-v)3]/27а32ΔGv2 (4.8)
Марказ эркин энергиясининг унинг ўлчамига боғлиқлик графиги 4.2 - расмда келтирилган.
Эркин энергия максимуми марказнинг турғунлик минимумига мос келади ва унинг r* ўлчамида ўринли бўлади. Агар r>r* бўлса, а (4.4) ифодага асосий ҳиссани r3 га пропорционал бўлган ҳад қўшади. Бу манфий эркин энергиянинг вужудга келишига, яьни катта радиусли марказларнинг турғунлигига олиб келади. Агар критик радиусли марказга (критик марказ деб номланадиган) яна бир атом қўшилса, у бироз турғунроқ бўлиб қолади ва ўртача алоҳида атомларга бўлинмайди, балки ўсишда давом этади ва турғун оролча ҳосил бўлади. Бошқа томондан, агар критик марказдан бир атом кетса, марказ бўлиниб кетади. Шунинг учун, турғун плёнка конденсацияланиши учун биринчи навбатда критик ўлчамдаги ёки ундан катта марказлар ҳосил бўлиши шарт. Агар марказ r радиусли сфера шаклида бўлиб унинг контакт бурчагини деб белгиласак, (4.7) ва (4.8) тенгламалар қуйидаги кўринишга ўтади:
r* = -2 δ v-c / Δ Gv (4.7)
Δ G * = (4 σ3 uс / 3ΔG2 u) (2+cos) (1-cos) (4.8)
Агар марказнинг сирт эркин энергияси анизотроп бўлса, ΔG* баландлиги h бўлган доиравий диск шаклига эга бўлади. Критик марказдаги атомлар сони қуйидаги ифода билан аниқланади:
i*=hδ2 e-v / v(ΔGu +∑ δ/h)2 , (4.9)
бу ерда δ e-v-дискнинг чегаравий солиштирма энергияси, ∑δ=δcv+δS-c-δS-v.
(4.8) тенглама юмалоқ диск учун қуйидаги кўринишга эга бўлади:
ΔG*=-h δv-c2/(ΔGv+∑ δ/h) (4.10)
Do'stlaringiz bilan baham: |