Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги олий таълим тизими педагог ва раҳбар кадрларини

Молекуляр 
–
 
нурли эпитаксия
(МНЭ). МНЭда қиздиргичда 
буғлатилган элементар компоненталар молекуляр даста кўринишида 
монокристал асос сиртига ўтказилади (1.4 – расм).
Расмда InP ва GaInAsP бирикмаларини ва GaInAsP/InP 
гетероўтишларни ҳосил қилиш учун зарур асосий элементлар келтирилган. 
Бирикмаларни ҳосил қилиш жараѐни ўта юқори вакуум 10
-6
÷ 10
-8
Па 
шароитида амалга оширилади. Бунда асос температураси (400 ÷ 800) ºС ни 
ташкил этади. Ҳосил қилинаѐтган эпитаксиал қатлам таркиби қиздиргичлар 
температурасини ўзгартириб бошқарилади. Қатламлар ўстириш жараѐнининг 
инерциясиз бошқарилиши қиздиргич билан асос орасида жойлашган 
тўсқичлар ѐрдамида амалга оширилади. 
МНЭда жараѐн паст температураларда амалга оширилади. Бу асосдан 
киритмалар диффузияланишини ва автолегирлашни камайтиради, сифатли 
юпқа эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради. Легирлаш 
(металлаоорганик бирикмалардан эпитаксия қилишдан фарқли равишда) 
жараѐни инерциясиз амалга ошгани муносабати билан мураккаб 
тақсимланишига эга легирлашни амалга ошириш мумкин. МНЭда 
эпитаксиал қатламнинг ўсиш тезлиги тахминан 1 моноқатлам/с ѐки 
1мкм/соатни ташкил этади. Бу эса ўз навбатида қалинлиги атом қатламни 
ташкил этувчи кристалл қатламларни ишончли равишда олиш имконини 
яратади. МНЭда эпитаксиал қатлам параметрларини бевосита ўстириш 

---

III. НАЗАРИЙ МАТЕРИАЛЛАР 
23 
жараѐнида ўлчаш мумкин. Бунинг учун МНЭ қурилмаси таркибида қайтган 
электронлар дифракциясини таҳлил қилувчи қурилма, масс – спектрометр, 
сочилган ионлар оже – спектрларини текшириш имконини берувчи оже – 
спектрометр мавжуд. 
1.5 – расм. InP асосда InP, GaInAs, GaInAsP бирикмалар ўстириш учун 
молекуляр – нурли эпитаксия қурилмаси тузилиши.