Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги олий таълим тизими педагог ва раҳбар кадрларини

Метал – органик бирикмалардан 
(МОБ)
эпитаксия қилиш. 
МОБ 
эпитаксия қилиш усули эпитаксиал қатлам ўстириладиган зонага ташувчи – 
газ оқими ѐрдамида ташкил этувчи компоненталарни учувчи модда (ѐки 
бирикма) шаклида элитишдан иборат. Реакторда, одатда юқори температура 
таъсирида элитилган материаллар парчаланади ва монокристал асос сиртига 
эпитаксиал қатлам кўринишда ўтказилади. 
МОБ эпитаксиянинг асосий афзалликлари: 
– ўсиш тезлиги катта бўлиши билан ўстириладиган қатламларнинг 
юқори сифатлилиги; 
– МНЭга нисбатан иқтисодий афзаллиги, чунки юқори вакуум талаб 
этилмайди; 

---

III. НАЗАРИЙ МАТЕРИАЛЛАР 
24 
– МНЭга нисбатан каттароқ технологик имкониятларга эгалиги; 
– кескин чегараларга эга гетеротузилмалар ҳосил қилишга яроқли 
технологияга эгалиги. 
Кимёвий йиғиш усули. 
Тузилма ташкил этувчиларини тўғри келувчи 
матрицада талаб этилган тартибда мажбурлаб жойлаштириш кимѐвий йиғиш 
дейилади. Биомолекулаларни кимѐвий йиғиш жараѐни тирик организмларда 
содир бўлади. Яқинда чизиқли ва стереорегуляр полимерларнинг сунъий 
синтези амалга оширилди. Бунда мономерлар молекулалари қатъий 
аниқланган йўналиш олар эдилар. Кимѐвий йиғиш усулларининг бири 
молекуляр қатламлашиш усулидан иборат бўлиб қаттиқ асос – матрица 
сиртига 
талаб 
этилган 
кимѐвий 
таркибли 
моноқатлам 
тузилма 
бирикмаларини кетма – кет ўстиришдан иборат. Молекуляр қатламлашиш 
усули билан наноқатламлар атомларини кимѐвий реакцияларнинг берилган 
дастури асосида кўп марталаб қайтарган ҳолда битталаб кимѐвий йиғиш 
мумкин. Ҳозирги вақтда ушбу усулдан микроэлектрон асбобларни кейинги 
микроминиатюрлашда фойдаланиш имкониятлари ўрганилмоқда. 
Юқори ажратувчанликка эга литография.
ИМСлар элементлари 
ўлчамларини кичиклаштиришда литографиянинг ажратувчанлиги 
R 
белгиловчи технология сифатида хизмат қилади ва у Рэлей формуласидан 
топилиши мумкин: 
R = k1λ/NA
,
бу ерда
NA=n 
sin
α
– оптик тизимнинг саноқ апертураси, 
λ
– манбанинг 
тўлқин узунлиги, 
k1
– литография жараѐни хусусиятларига боғлиқ 
коэффициент. Шундай қилиб, ажратувчанлик литографияда қўлланилаѐтган 
ѐритувчи манбанинг тўлқин узунлигига пропорционал. 
Тўлқин узунлиги 248 нмни ташкил этувчи ультрабинафша (УБ) 
нурланишдан 
фойдаланилганда 
микроэлектроника 
литография 
ажратувчанлиги 180 нмни ташкил этувчи технология (Deep Ultra Violet 
(DUV) – литография) га эга бўлди. Бугунги кунда илғор компаниялар манба 
тўлқин узунлиги чуқур УБ диапазонида бўлган (193 нмли) қурилмалардан 
фойдаланмоқдалар. Литографиянинг ажратучанлиги иммерс техникадан 
фойдаланилганда ортади. Иммерсион литографияда объективнинг ташқи 
линзаси ва кристалл орасидан узлуксиз равишда ѐруғлик нурини синдириш 
кўрсаткичи бирдан катта бўлган суюқлик оқиб ўтади. Саноқ апертураси 
иммерсион муҳит синдириш кўрсаткичига пропорционал бўлгани сабабли 
ортади. Ҳозирги замонда иммерсион суюқлик сифатида сув ишлатилади. 
Синдириш кўрсаткичи 
n
=1,6 ÷ 1,8 бўлган суюқликлардан фойдаланиш 
назарда тутилмоқда. 

---

III. НАЗАРИЙ МАТЕРИАЛЛАР 
25 
1.6 – расм. Оптик литография схемаси. 
А – кўпқатламли Si – Mo ўта панжаралар асосидаги кўзгу. 
DUV технологияни алмаштиришга тўлқин узунлиги 13,5 нмли 
экстремал УБ соҳасидаги литография (инглизча атама Extra Ultra Violet 
(EUV) – литография) келмоқда. У 10 нм ажратувчанликка эришиш имконини 
беради. 
Оддий синдирувчи оптика тўлқин узунлиги 13,5 нмни ташкил этувчи 
нурлар билан ишлай олмайди, чунки бундай нурланиш барча материалларда 
интенсив ютилади. Шунинг учун рентген кўзгуларили қайтарувчи оптик 
тизимлар ишлатилади. Рентген кўзгулар кўп қатламли тузилмалар (ўта 
панжара) бўлиб кремний асосдаги кремний – молибдендан иборат (1.6 – 
расм).