‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

d l = ^ ~ d U ] + - ^ - d U ,
'
dUt ' dU2 1
d l ^ d U + * L dn
2 dU, 1 dU2 2
(4.21)
Ixtiyoriy o‘zgaruvchilar oldidagi xususiy orttirmalar garmonik
tebranishlar ta’sir etganda yn , у ]2 y21 y22 deb belgilanadi va modelning
у — parametrlari deb ataladi.
у = QIX / dU l — tranzistorning kirish differensial o'tkazuvchanligi,
y u = d I J d U 2— tranzistorning teskari differensial uzatish
o‘ tkazuvchanligi;
= dl21 dU l ~ tranzistorning to‘g‘ri differensial uzatish
o'tkazuvchanligi;
y 22 — d l2 / d U , — tranzistorning chiqish differensial
o'tkazuvchanligi.
Barcha у — parametrlar tokning o'zgaruvchan tashkil etuvchilari
uchun qisqa tutashuv rejimida to‘rt qutblilikning qarshi tomonida
aniqlanadi: y22 va y ^ lar uchun kirishda “qisqa tutashuv” rejimida
dU= 0, y u \a y2llar uchun chiqishda “qisqa tutashuv” rejimida dU= 0.
h, i’ — parametrlar berilgan chastotada bevosita o‘lchanadilar.
Yuqo hastotalarda h n va hn parametrlarni o ‘lchash qiyinlashadi,
chunki EO'ning yetarlicha katta sig‘im o‘tkazuvchanligi hisobiga “salt
yurish” rejimini amalga oshirib bo‘lmaydi. у — parametrlarni o‘lchash
kirish va chiqishlarda qisqa tutashuv rejimi amalga oshirilgan holda
bajariladi. Yuqori chastotalarda qisqa tutashuv rejimi mos elektrodlarga
yetarlicha katta sig‘imga ega kondensator ulash bilan amalga oshiriladi.
Shuning uchun ВТ lar asosidagi yuqori chastotali o‘zgartgichlarni
hisoblashda faqat у — parametrlardan foydalaniladi. Past chastotali
o‘zgartgichlarni hisoblashda h — parametrlardan foydalanish qulayroq,
ch u n k i ularning q iy m atlari tra n z isto rn in g sta n d a rt statik
xarakteristikalaridan topiladi va ma’lumotnomalarda keltiriladi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
у — parametrlar qiymati ma’lum h — parametrlardan quyidagi
munosabatlar asosida topilishi mumkin:
1 _ hl2
_ h 2X _ h
У и ~~Й~ 7 > У2]~~И^’У п ~~И^ ( h = h\\h2 2 - hn K ) -
4.1-jadvalda turli tranzistorlar uchun h — param etrlarning
chamalangan qiymatlari keltirilgan, bunda tranzistorning chiqish
qarshiligi o‘rniga 1/ h22 keltirilgan.
4 .1-jadval