‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

I K = odE + I K0 va I K = (31R + {(3 +1 )IK0.
Turli temperaturalarda chiqish xarakteristikalarni o‘lchash UB
ulangan sxema uchun /£=const va UE sxema uchun esa 1= const
hollarda bajarilishi kerak. Shuning uchun temperatura ortganda UB
ulangan sxemada a = const bo'lib Zoning ortishi faqat IK0 qiymatining
ortishiga bog‘liq. Ammo, lK0 odatda (X IEga nisbatan ancha kichik
bo‘lgani uchun, IK0ning o'zgarishlarini e’tiborga olmasa ham bo’ladi
(4.15, a-rasm).
UB ulangan sxemaning muhim afzalligi — chiqish xarakteristikalari
temperatura barqarorligining yuqoriligidan iborat.
a) b)
4.15-rasm. UB (a) va UE (b) ulangan BTning chiqish
xarakteristikalariga temperaturaning ta’siri.www.ziyouz.com
kutubxonasi
UE ulangan ВТ chiqish xarakteristikalari temperaturaga ko‘proq
bog‘liqligi sababli, temperatura o‘zgarganda baza toki IB qiymatini
o‘zgarmas saqlab turish zarur. Agar p temperaturaga bog liq emas
deb qaralsa, kollektor toki IKning temperaturaga bog'liqligi (y3 +1 )IK0
had bilan aniqlanadi. /^ to k temperatura har 10 °C ga ortganda
taxminan ikki marta ortadi va misol uchun p =99 bo‘lganda tranzistor
chiqish xarakteristikalarining nisbiy dreyfi tenglamaning faqat ikkinchi
hadi hisobiga 300 % ni tashkil etadi.
UE ulangan tranzistor chiqish xarakteristikalarining temperatura
o‘zgarishlarga sezgirligi 4.15, b-rasmdan ko‘rinib turibdi. Shu sababdan,
ishchi rejimni barqarorlash uchun tranzistorni boshqarishda baza toki
bilan boshqarish rejimidan EO‘ kuchlanishi bilan boshqarish rejimiga
o‘tish taklif etiladi.
a va p koeffitsientlar ham tranzistor ishchi rejimiga, ya’ni KO'dagi
tok va kuchlanishga bog‘liq (4.16- va 4.'17-rasmlar).
a) b)
4.16-rasm. p ning kollektor tokiga (a) va kuchlanishiga (b)
bog'liqligi.
Baza tokini uzatish koeffitsienti p ning kichik toklar sohasida
kam ayishi E O ‘dagi va sirt b o ‘ylab rekom binatsiya hisobiga
tushuntiriladi. Katta toklar sohasidagi kamayishi esa nomuvozanatwww.ziyouz.com
kutubxonasi
zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi katta b o ‘lganda bazaning
solishtirma o‘tkazuvchanligining ortishi bilan asoslanadi.