‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

1 к 2 » 'кг Shuning uchun
P 7< < P 7
va
р = р ; • p2 am alda bir necha
m ingdan oshmaydi.
T arkibiy tra n z isto rla r turli o 'tk azu v ch an lik k a ega b o 'lg an
tranzistorlar asosida ham hosil qilinishi mumkin. Bunday tuzilm alar
qo'shimcha simmetriyaga ega bo'lgan tarkibiy tranzistorlar deb ataladi.
Komplementar BTlar asosidagi Shiklai tarkibiy tranzistori deb ataluvchi
sxemaning tuzilishi 8.17, a-rasmda keltirilgan.
Bunda kirish tranzistori sifatida p-n-p o'tkazuvchanlikka ega
tranzistor, chiqish tranzistori sifatida esa n-p-n o'tkazuvchanlikka
a)
Г
b)
J
8.17-rasm. Komplementar BTlar (a), ВТ va
MTlar asosidagi (b) tarkibiy tranzistor sxemalari.www.ziyouz.com
kutubxonasi
ega tranzistor ishlatiladi. Natijaviy toklar yo'nalishlari, rasm dan
ko‘rinishicha, p-n-p tranzistorning toklari yo'nalishiga mos keladi.
Tok uzatish koeffitsienti
p = p /+()/ -p2 ga teng boMadi va amalda
Darlington tranzistorining p siga teng bo‘ladi.
Prinsipda tarkibiy tranzistor maydoniy va bipolyar tranzistorlar
asosida hosil qilinishi mumkin. 8.17, b-rasmda n — kanali p-n o ‘tish
bilan boshqariluvchi MT va n-p-n tuzilmali BT asosida hosil qilingan
tarkibiy tranzistor sxemasi keltirilgan. Ushbu sxema maydoniy va
bipolyar tranzistorlarning xususiyatlarini o ‘zida mujassamlashtirgan
— bu juda katta kirish qarshiligiga va tok bo‘yicha, demak quvvat
bo‘yicha ham, juda katta kuchaytirish koeffitsientiga egaligidan iborat.
Injeksion — voltaik tranzistor asosidagi tarkibiy tranzistor sxemasi
8.18, a va b-rasmlarda keltirilgan. Ular tem peratura va kuchlanish
manbayi qiymatlari o ‘zgarishiga nisbatan yuqori barqarorlikka ega.
a) b)
8.18-rasm. Injeksion - voltaik tranzistor asosidagi tarkibiy tranzistor
Darlington (a) va Shiklai (b) juftligi sxemalari.www.ziyouz.com
kutubxonasi
8.19-rasm. UE sxemada ulangan kuchaytirgich sxemasi.