‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

UE sxemada ulangan bipolyar tranzistor asosidagi kuchaytirgich
kaskadining prinsipial sxemasi 8.11-rasmda keltirilgan. U E sxemada
ulangan ВТ asosidagi sodda kuchaytirgichni hisoblaymiz.www.ziyouz.com
kutubxonasi
8.11-rasm. UE sxemada ulangan ВТ asosidagi kuchaytirgich sxemasi.
Kirish signali manbayi Rc ichki qarshiiikka ega kuchlanish generatori
U(. sifatida ko‘rsatilgan. Signal manbayi va yuklama /^kuchaytirgichni
kaskadga ajratuvchi C l v a C2 k o n d en sato rlar orqali ulangan.
Kondensatorlar, kuchaytirgichning sokinlik rejimini buzmagan holda,
kirish va chiqish signallarining faqat o ‘zgaruvchan tashkil etuvchilari
o ‘tishini ta ’minlaydi. RH rezistor yordamida, kuchaytirishning berilgan
sinfi uchun, bazaning IB0 sokinlik toki qiymati belgilanadi.
Ushbu kaskad uchun aytib o ‘tilganlarning barchasi p-n-p tranzistor
asosidagi kaskadlar uchun ham o'rinli bo'ladi. Bunda kuchlanish
manbayining qutbini va toklar yo'nalishini o ‘zgartirish yetarli b oiadi.
K uchaytirgich kaskadning kirish kuchlanishi Д UKIR m iqdorga
o ‘zgardi deb faraz qilaylik. Bu baza tokining ortishiga olib keladi.
Tranzistorning em itter va kollektor toklari ham da kaskadning chiqish
kuchlanishi AUCHIQ orttirma oladi. Shunday qilib, kirish kuchlanishi
(toki)ning har qanday o ‘zgarishi chiqish kuchlanishi (toki)ning
p ro p o rsio n al o ‘zgarishiga olib keladi. Q iym at jih a td a n ushbu
o‘zgarishlar kaskadning kuchaytirish koeffitsienti bilan aniqlanadi.
Kichik signal rejimida kuchaytirgich kaskad kirish va chiqish
qarshiliklarini, kuchaytirish koeffitsientini hisoblash uchun ekvivalent
sxemalardan foydalanish qulay. Bunda tranzistorlar ekvivalent modellari
orqali ifodalanadi. Elektr modellar qulayligi shundaki, tranzistorlar
kuchaytirish xususiyatlari tahlili, ayniqsa kichik signal rejimida, elektr
zan jirlar nazariyasi qonuniyatlari asosida o ‘tkazilishi m um kin.www.ziyouz.com
kutubxonasi
Tranzistorlar uchun bir qancha ekvivalent modellar va param etrlar
tizim i ta k lif etilg an . U larn in g h ar biri o ‘zin in g afzallik va
kamchiliklariga ega.
Barcha parametrlarni xususiy (yoki birlamchi) va ikkilamchilarga
ajratish mumkin. Xususiy parametrlar tranzistorning ulanish usulidan
qat’i nazar fizik xususiyatlarini xarakterlaydi. Ikkilamchi param etrlar
tranzistorning fizik tuzilmasi bilan bevosita bog‘lanmagan va turli
ulanish sxemalar uchun turlicha bo'ladi.
Birlamchi asosiy param etrlar bo‘lib tok b o ‘yicha kuchaytirish
koeffitsienti a , em itterning rE, kollektorning rK va bazaning rB
o ‘zgaruvchan tokka qarshiliklari, ya’ni ularning differensial qiymatlari
xizmat qiladi. rE qarshilik EO' qarshiligi va em itter soha qarshiligidan,
rK qarshilik esa, K 0 ‘ qarshiligi va kollektor soha qarshiligi yig‘indisidan
iborat boTadi. E m itter va kollektor sohalar qarshiligi o 'tish lar
qarshiligiga nisbatan juda kichik qiymatga ega bo‘lgani sababli ular
e ’tiborga olinmaydi.
Ikkilamchi parametrlarning (h va у — parametrlar) barcha tizimi
tranzistorni to ‘rt qutbli sifatida ifodalashga asoslanadi.
UE ulangan kuchaytirgich kaskadning eng muhim parametrlarining
qiymatlari 8.2-jadvalda keltirilgan.