‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

Ем, V
9 9 5
9
U ° сто , V
0,5
0,3
0 0
U 'ch io, V
7,7 8,2 5
9
K tarm
50 50 50
50
12.6. Integral-injeksion mantiq elementlari
Mikroelektron apparatlar rivoji KIS va 0 ‘KIS larni keng qo‘llashga
asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko‘rsatkichlari
ortm oqda: ishonchlilik, xalaq itb ard o sh lik o rtm o q d a, m assasi,
o ‘lchamlari, narxi kamaymoqda va h.k.
KIS M Elari tezkorligining kichikligiga qaram asdan M DY —
texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshirish muammosi Philips
va IBM firmalari tom onidan ВТ asosida integral-injeksion m antiq
(PM ) negiz elementi yaratilishiga sabab bo‘ldi.
PM negiz elementi sxemasi 12.14, a-rasmda keltirilgan. Element
VT1 (p,-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan.
VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza
toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir
nechta kollektorga ega bo‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil
etadi. I2M turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda,
VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbayi
bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni
ta ’minlaydi. Bunday tok bilan ta ’m inlovchi qurilm a injektor toki
qiymatini, keng diapazonda o ‘zgartirib uning tezkorligini o ‘zgartirishgawww.ziyouz.com
kutubxonasi
imkon beradi. Amalda injektor toki 1 nA-H m Agacha o ‘zgarishi
mumkin, ya’ni VTl tranzistor EO‘idagi kuchlanishni ozgina orttirib
(har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga o ‘zgartirish
mumkin.
a)
b)
r-C IZ b ------о
Ikjr
О—
J ’ VTl
О l ст о 2
VT2
Kir Chit/1 Chit/2
Ш w Jzr f П T
1
"
l -+ 1 )
V-
k/«; / / / / / / / / / / / / / / / / /
c)
12.14-rasm. I2M negiz elementning prinsipial sxemasi (a),
topologiya qirqimi (b) va shartli belgilanishi (c).
PM IS kremniyli n+— asosda tayyorlanadi (12.14, b-rasm ), u o ‘z
navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod
hisoblanadi (rasmda bitta invertor ko'rsatilgan). n-p-n turli tranzistor
bazasi bir vaqtning o ‘zida p-n-p turli tranzistorni kollektori bo‘lib
hisoblanadi. Elementlaming bunday tayyorlanishi funksional integratsiya
deyiladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalami izolatsiya qilishga
(TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. I2M elementi
rezistorlardan xoli ekanligini inobatga olsak, yaxlit elem ent kristalda
TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
Elem entning ishlash prinsipi. Ikkita ketm a-ket ulangan I-M
elementlar zanjiri 12.15-rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga
berilgan kuchlanish U°KIR < U' bo‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2
tranzistorning ikkala o ‘tishi berk bo‘ladi. VT1 injektordan berilayotgan
tok IM, qayta ulanuvchi tranzistor bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi.
Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qayta ulanuvchi VT2/
tranzistoriningto‘g‘ri siljitilgan p-n o ‘tishi kuchlanishiga teng bo'ladi,
ya’ni U'CHlQ = U'~0,7 V. Agar sxemaning kirishidagi kuchlanish