‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

EM = 4 ,5 ^ 9 V bo‘ladi.
MDYTM elem entlarda real U"CHIQqiymati U° = UQOL~ 0,2+0,3 V
dan katta emas, U'CHlQ qiymati esa U'CHIQ ~EM.
Mos ravishda m antiqiy o ‘tish
Uu = E „ - U a0L~ E u .
M DYTM elem entning yana bir afzalligi — xalaqitbardoshligi
yuqoriligidadir. BTlardagi M Elarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi
(1-5-2)U \ ya’ni 0,7-j-l,4 V boMganda, M DYTM da Ц°ш = U0 - U°~
I,5н-3 V bo‘ladi.
HAM-EMAS elementida kirishlar soni ortgan sari xalaqitbardoshlik
kam ayadi, chunki bir vaqtda b arch a tra n z isto rla rn in g qoldiq
kuchlanishlari UQ0L ortadi. Shu sababli HAM -EM AS elementlarda
kirishlar soni 4 tadan ortm aydi, YOKI-EM AS elem entlarda esa 10—
12 tagacha yetadi. Amalda YOKI-EM AS elem entlar ko‘p qo ‘llaniladi,
HAM-EMAS elementlar esa faqat IS seriyalarining funksional to ‘liqligi
uchun ishlatiladi. M DY sxem alarning yuklama qobiliyati katta, chunki
kirish (zatvor) zanjiri deyarli tok iste’mol qilm aydi. D em ak, ish
jarayonida zanjirdagi barcha M Elar bir-biriga bog‘liq bo‘lmagan holda
ishlaydilar, U°sa £/; sathi esa yuklamaga bog‘liq b o ‘lmaydi.
M DY — tuzilm a elem entlari tezkorligi esa kirish va chiqish
zanjirlarini shuntlovchi sig‘imlarning qayta zaryadlanish vaqti bilan
aniqlanadi. Tezkorlikni oshirish yo‘lidagi barcha urinishlar boshqa
kam chiliklarni yuzaga keltirdi. M asalan, tezk o rlik n in g ortishi
yuklamadagi sig‘imlarni qayta zaryadlanish toki qiymatini ortishiga
olib keladi. Lekin, bu usul iste’mol quw atini va chiqishdagi mantiqiy
sathlar nobarqarorligini ortishiga olib keladi. K o‘rsatilgan qaram a
qarshiliklar turli o'tkazuvchanlikka ega (kom plem entar) tranzistorli
kalitlar yordamida, sxemotexnik usulda bartaraf etilishi mumkin.