‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

Y2~to‘g‘ri chiqish. Element musbat mantiq uchun bir vaqtning o ‘zida
ikkita funksiyani amalga oshiradi: YI chiqish bo‘yicha 2YOK1-EMAS
(Pirs elementi) va Y2 chiqish bo'yicha 2YOKI (dizyunksiya). Ikki
kirishli M Ening haqiqiylik jadvali 12.4-jadvalda keltirilgan.
12.11-rasm . Ikki kirishli E B M
elementning shartli grafik
belgilanishi
12.4 - ja d v a l
Ikki k irish li E B M elem en tn in g
h aq iq iy lik ja d v a li
X i
X i
y i У-
0 0
1 0
0 1
0
1
1 0 0
1
1 1 0
1
12.4. Bir turdagi MDY - tranzistorlar asosidagi mantiq
elementlar
Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy
mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo‘lgan
IM Slar ishlatiladi. Ayniqsa KIS va 0 ‘KIS integratsiya darajasiga ega
bo‘lgan IMSlar keng qo‘llanilmoqda.
TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydilar, ammo
iste’mol quw ati va oMchamlari katta bo'lganligi sababli, faqat kichik
va o ‘rta integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IM Slar yaratishdagina
qo‘llaniladi.
1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidli (SiO,)
MDY — tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruhwww.ziyouz.com
kutubxonasi
usulida ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yildi.
Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi M D Y integral
tranzistorlarda izolatsiyalovchi cho‘ntaklar hosil qilish talab etilmaydi.
Shuning uchun, bir xil m urakkablikka ega b o ‘lganda, M D Y —
tranzistorli IM Slar BTlarga nisbatan kristalda kichik o ‘lcham larga ega
va yasalish texnologiyasi sodda bo'ladi. K rem niy oksidili M DY
ISlarning asosiy kamchiligi — tezkorlikning kichikligidir. Yana bir
kamchiligi — katta iste’mol kuchlanishi bo‘lib, u M DY ISlarni BT
ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. M DY ISlar asosan
uncha katta boMmagan tezkorlikka ega bo'lgan va kichik tok iste’mol
qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo‘llaniladi. M DY
ISlarda eng yuqori integratsiya darajasiga erishilgan bo‘lib, bir kristalda
yuz minglab va undan ko‘p kom ponentlar joylashishi mumkin.
M DY — tranzistorli mantiq (MDYTM) asosida yuklamasi M DY —
tranzistorlar (1 1.6-paragrafda ko‘rib o‘tilnan) asosida yaratilgan elektron
kalit — invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlaming ishlatilmasligi,
IM Slar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi.
M antiqiy IM Slar tuzishda n yoki p kanali induksiyalangan M DY —
tranzistorlardan foydalanish mumkin. K o'proq n — kanalli tranzistorlar
qo ‘llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga