‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

Ko‘p kaskadli kuchaytirgichlar. O datda, manfiy TA hisobiga
kuchaytirgich kaskadining kuchaytirish koeffitsienti Kv < 10 bo'ladi.
Katta kuchaytirish koeffitsientiga erishish uchun bir nechta kaskad
o ‘zaro k etm a-k et ulangan, k o ‘p kaskadli k u ch ay tirg ich lard an
foydalaniladi. H ar bir kaskadda o'zgarm as tok bo‘yicha optimal ish
rejimi saqlangan bo'lishi lozim.
8.24-rasm. K123 U N I IMS prinsipial sxemasi.
213www.ziyouz.com
kutubxonasi
K o‘p kaskadli kuchaytirgich sifatida К 123 U N I (sinusoidal
kuchlanish kuchaytirgich) IMS dastlabki kuchaytirgich kaskadlarini
ko‘rib chiqamiz (8.24-rasm).
Sxemaga ikkita mahalliy (VTl tranzistor R 4va VT3 7?7rezistorlar
yordam ida) va umumiy (uchala kaskad R5+ R6= RTA rezistorlar
yordamida) manfiy ТА kiritilib nolning dreyfi minimallashtiriladi.
Ikkinchi kaskad manfiy TAsiz hosil qilingan.
8.7. Maydoniy tranzistorlar asosidagi kuchaytirgich kaskadlar
p — n o ‘tish bilan boshqariladigan MT yoki kanali qurilgan MDY
— tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlar asosan kirish kaskadlari
sifatida qo‘llaniladi. Bu hoi M Tlarning quyidagi xususiyatlari bilan
bog‘liq:
— katta kirish qarshiligiga egaligi yuqori Omli signal manbayi bilan
moslashtirishni osonlashtiradi;
— shovqin k o e ffitsien tin in g k ichikligi kuchsiz sig n allam i
kuchaytirishda afzallik beradi;
— term obarqaror ishchi nuqtada barqarorlik yuqori.
UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad. n — kanali p — n
o ‘tish bilan boshqariladigan UI ulangan kuchaytirgich kaskadning
prinsipial sxemasi 8.25-rasmda keltirilgan.
+£'»
R,
Ry„
8.25-rasm. UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad.
Kirish signali manbayi £/c ajratuvchi kondensator C; orqali, yuklama
qarshiligi RYu esa, kaskadning chiqishiga C2 ajratuvchi kondensator
yordamida ulangan. Zatvorning umumiy shina bilan galvanik bog‘lanishiwww.ziyouz.com
kutubxonasi
Rz ., 1 M Om rezistor orqali amalga oshiriladi. Bu galvanik aloqa
zatvordagi manfiy siljituvchi kuchlanishni hosil qilish uchun zarur.
Bunday tranzistor ishlash prinsipi kanal qarshiligini p — n o ‘tishga
teskari siljitish berib o ‘zgartirishga asoslanadi. n — kanalli tranzistor
uchun kuchlanish manbayi + EM, zatvorga esa R, dagi manfiy kuchlanish
pasayishi beriladi. Bitta kuchlanish manbayi ishlatilganda zatvordagi